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FJNS7565 Datasheet

  • FJNS7565

  • For Output Amplifier of Electronic Flash Unit

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  • FAIRCHILD

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FJNS7565
FJNS7565
For Output Amplifier of Electronic Flash Unit
鈥?Low Collector-Emitter Saturation Voltage
鈥?High Performance at Low Supply Voltage
1
TO-92Mini
1.Emitter 2. Collector 3. Base
NPN Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
C
=25擄C unless otherwise noted
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
C
T
J
T
STG
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current
Collector Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature
Parameter
Ratings
15
10
7
5
0.55
150
-55 ~ 150
Units
V
V
V
A
W
擄C
擄C
Electrical Characteristics
T
C
=25擄C unless otherwise noted
Symbol
BV
CBO
BV
CEO
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE1
h
FE2
h
FE3
V
CE
(sat)
V
BE
(sat)
C
ob
Parameter
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter Base Voltage
Collector Cut-off Current
Emitter Cut-off Current
DC Current Gain
Test Condition
I
C
= 10碌A(chǔ), I
E
= 0
I
C
= 1mA, I
B
= 0
I
C
= 10碌A(chǔ), I
C
= 0
V
CB
= 15V, I
E
= 0
V
EB
= 5V, I
C
= 0
V
CE
= 2V, I
C
= 0.5A
V
CE
= 2V, I
C
= 2A
V
CE
= 2V, I
C
= 5A
I
C
= 3A, I
B
= 60mA
I
C
= 3A, I
B
= 60mA
V
CB
= 20V, I
E
= 0, f = 1MHz
20
450
300
150
Min.
15
10
7
100
100
800
Typ.
Max.
Units
V
V
V
nA
nA
Collector-Emitter Saturation Voltage
Base-Emitter Saturation Voltage
Collector Output Capacitance
0.45
1.5
V
V
pF
漏2003 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. B, May 2003

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