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FJD5304DTM Datasheet

  • FJD5304DTM

  • High Voltage Fast Switching Transistor

  • 6頁

  • FAIRCHILD

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FJD5304D High Voltage Fast Switching Transistor
FJD5304D
High Voltage Fast Switching Transistor
Features
鈥?/div>
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鈥?/div>
Built-in Free Wheeling Diode
Wide Safe Operating Area
Small Variance in Storage Time
Suitable for Electronic Ballast Application
Equivalent Circuit
C
B
1
D-PACK
E
1. Base 2. Collector 3. Emitter
Absolute Maximum Ratings
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
I
BP
P
C
T
J
T
STG
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current (DC)
* Collector Current (Pulse)
Base Current (DC)
* Base Current (Pulse)
T
C
= 25擄C unless otherwise noted
Parameter
Value
700
400
12
4
8
2
4
30
150
-55 ~ 150
Units
V
V
V
A
A
A
A
W
擄C
擄C
Collector Dissipation (T
C
= 25擄C)
Junction Temperature
Storage Temperature
* Pulse Test: PW = 300碌s, Duty Cycle = 2% Pulsed
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
J5304D
J5304D
Device
FJD5304DTM
FJD5304DTF
Package
D-PAK
D-PAK
Reel Size
13鈥?Dia
13鈥?Dia
Tape Width
-
-
Quantity
2500
2000
漏2005 Fairchild Semiconductor Corporation
1
www.fairchildsemi.com
FJD5304D Rev. A

FJD5304DTM 產(chǎn)品屬性

  • Fairchild Semiconductor

  • Transistors Bipolar (BJT)

  • NPN

  • 400 V

  • 12 V

  • 4 A

  • 10

  • Single

  • + 150 C

  • SMD/SMT

  • DPAK

  • Reel

  • - 55 C

  • 30000 mW

  • 2500

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