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FJB102 Datasheet

  • FJB102

  • High Voltage Power Darlington Transistor

  • 5頁

  • FAIRCHILD

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FJB102 High Voltage Power Darlington Transistor
FJB102
High Voltage Power Darlington Transistor
Features
鈥?High DC Current Gain : h
FE
=1000 @ V
CE
=4V, I
C
=3A (Min.)
鈥?Low Collector-Emitter Saturation Voltage
鈥?High Collector-Emitter Sustaining Voltage
鈥?Monolithic Construction with Built-in Base-Emitter Shunt Resistors
鈥?Industrial Use
Equivalent Circuit
C
B
1
1.Base
D2-PAK
2.Collector
3.Emitter
R1
R2
E
R1
鈮?/div>
10k鈩?/div>
R2
鈮?/div>
0.6k鈩?/div>
Absolute Maximum Ratings
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
P
C
T
J
T
STG
Parameter
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current (DC)
* Collector Current (Pulse)
Base Current (DC)
Collector Dissipation (T
C
= 25擄C)
Junction Temperature
Storage Temperature
Value
100
100
5
8
15
1
80
150
-65 ~ 150
Units
V
V
V
A
A
A
W
擄C
擄C
* Pulse Test: PW = 300碌s, Duty Cycle = 2% Pulsed
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
FJB102
Device
FJB102
Package
D2-PAK
Reel Size
13鈥?Dia
Tape Width
-
Quantity
800
漏2005 Fairchild Semiconductor Corporation
1
www.fairchildsemi.com
FJB102 Rev. A

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  • 型號
    版本
    描述
    廠商
    下載
  • 英文版
    High Voltage Power Darlington Transistor
    FAIRCHILD
  • 英文版
    High Voltage Power Darlington Transistor
    FAIRCHILD ...
  • 英文版
    暫無描述
    FAIRCHILD
  • 英文版
    TRANS NPN DARL 100V 8A D2PAK
  • 英文版
    Transistor; Transistor Type:Darlington; Transistor Polarity:...
    Fairchild Semiconductor

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