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FDZ208P

May 2004

FDZ208P

General Description

Combining Fairchild鈥檚 advanced 30 Volt P-Channel

Trench II Process with

鹵

25 Volts Vgs. Abs. Max Gate

Rating for the ultimate low Rds Battery Protection

MOSFET. This

MOSFET also embodies a

breakthrough in packaging technology which enables

the device to combine excellent thermal transfer

characteristics, high current handling capability, ultra-

low profile packaging, low gate charge, and low R

DS(ON)

.

聽

P-Channel 30 Volt PowerTrench

BGA MOSFET

Features

鈥?/div>

鈥?2.5 A, 鈥?0 V. R

DS(ON)

= 10.5 m鈩?@ V

GS

= 鈥?0 V

R

DS(ON)

= 16.5 m鈩?@ V

GS

= 鈥?.5 V

鈥?/div>

Occupies only 14 mm

2

of PCB area. Only 42% of

the area of SO-8

鈥?/div>

Ultra-thin package: less than 0.8 mm height when

mounted to PCB

鈥?/div>

3.5 x 4 mm

2

footprint

鈥?/div>

High power and current handling capability

Applications

鈥?/div>

Battery management

鈥?/div>

Load switch

鈥?/div>

Battery protection

D

S

G

D

S

D

S

D

S

D

Pin 1

S

F208P

G

Pin 1

D

Bottom

Top

T

A

=25 C unless otherwise noted

o

Absolute Maximum Ratings

V

DSS

V

GSS

I

D

P

D

T

J

, T

stg

Symbol

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Drain Current 鈥?Continuous

鈥?Pulsed

Power Dissipation (Steady State)

Parameter

(Note 1a)

Operating and Storage Junction Temperature Range

鈥?0

鹵

25

鈥?2.5

鈥?0

2.2

1.0

鈥?5 to +150

Ratings

Units

V

A

W

擄C

Thermal Characteristics

R

胃

JA

R

胃

JB

R

胃

JC

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

Thermal Resistance, Junction-to-Ball

Thermal Resistance, Junction-to-Case

(Note 1a)

(Note 1)

56

4.5

0.6

擄C/W

Package Marking and Ordering Information

Device Marking

208P

Device

FDZ208P

Reel Size

7鈥欌€?/div>

Tape width

8mm

Quantity

3000 units

漏

2004 Fairchild Semiconductor Corporation

FDZ208P Rev C3 (W)

標(biāo)準(zhǔn)包裝
3,000
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
PowerTrench®
FET 型
MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn)
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
12.5A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
10.5 毫歐 @ 12.5A，10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）
3V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
35nC @ 5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
2409pF @ 15V
功率 - 最大
1W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
30-WFBGA
供應(yīng)商設(shè)備封裝
30-BGA（4x3.5）
包裝
帶卷 (TR)

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型號(hào)

版本

描述

廠商

下載
FDZ201N

英文版

N-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM BGA MOSFET

FAIRCHILD

FDZ201N
FDZ201N

英文版

N-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM BGA MOSFET

FAIRCHILD ...

FDZ201N
FDZ202P

英文版

P-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM BGA MOSFET

FAIRCHILD

FDZ202P
FDZ202P

英文版

P-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM BGA MOSFET

FAIRCHILD ...

FDZ202P
FDZ203N

英文版

N-Channel 2.5V Specified PowerTrench BGA MOSFET

FAIRCHILD

FDZ203N
FDZ203N

英文版

N-Channel 2.5V Specified PowerTrench BGA MOSFET

FAIRCHILD ...

FDZ203N
FDZ204P

英文版

P-Channel 2.5V Specified PowerTrench

FAIRCHILD

FDZ204P
FDZ204P

英文版

P-Channel 2.5V Specified PowerTrench

FAIRCHILD ...

FDZ204P
FDZ206P

英文版

P-Channel 2.5V Specified PowerTrench

FAIRCHILD

FDZ206P
FDZ206P

英文版

P-Channel 2.5V Specified PowerTrench

FAIRCHILD ...

FDZ206P
FDZ208P

英文版

P-Channel 30 Volt PowerTrench

FAIRCHILD

FDZ208P
FDZ208P

英文版

P-Channel 30 Volt PowerTrench

FAIRCHILD ...

FDZ208P
FDZ209N

英文版

60V N-Channel PowerTrench BGA MOSFET

FAIRCHILD

FDZ209N
FDZ209N

英文版

60V N-Channel PowerTrench BGA MOSFET

FAIRCHILD ...

FDZ209N
FDZ291P

英文版

P-Channel 1.5 V Specified PowerTrench BGA MOSFET

FAIRCHILD

FDZ291P
FDZ291P

英文版

P-Channel 1.5 V Specified PowerTrench BGA MOSFET

FAIRCHILD ...

FDZ291P
FDZ293P

英文版

P-Channel 2.5 V Specified PowerTrench BGA MOSFET

FAIRCHILD

FDZ293P
FDZ293P

英文版

P-Channel 2.5 V Specified PowerTrench BGA MOSFET

FAIRCHILD ...

FDZ293P
FDZ294N

英文版

N-Channel 2.5 V Specified PowerTrench BGA MOSFET

FAIRCHILD

FDZ294N
FDZ294N

英文版

N-Channel 2.5 V Specified PowerTrench BGA MOSFET

FAIRCHILD ...

FDZ294N

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