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FDW2601NZ_NL Datasheet

  • FDW2601NZ_NL

  • Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET

  • 11頁

  • FAIRCHILD

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FDW2601NZ Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench廬 MOSFET
December 2004
FDW2601NZ
Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench
廬
MOSFET
Features
!
8.2A, 30V
r
DS(ON)
= 0.015鈩?
V
GS
= 4.5V
r
DS(ON)
= 0.020鈩?
V
GS
= 2.5V
!
Extended
V
GS
range (鹵12 V) for battery applications
!
HBM ESD Protection Level of 3.5kV Typical (note 3)
!
High performance trench technology for extremely low
r
DS(ON)
!
Low profile TSSOP-8 package
General Description
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild
Semiconductor鈥檚 advanced PowerTrench process that has
been especially tailored to minimize the on-state resistance
and yet maintain low gate charge for superior switching
performance. These devices are well suited for portable
electronics applications.
Applications
!
Load switch
!
Battery charge
!
Battery disconnect circuits
G2
S2
S2
D2
G1
S1
S1
D1
D1
D2
G1
G2
Pin 1
S1
S2
TSSOP-8
漏2004 Fairchild Semiconductor Corporation
FDW2601NZ Rev. A
1
www.fairchildsemi.com

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