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FDU6680 Datasheet

  • FDU6680

  • 30V N-Channel PowerTrench? MOSFET

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FDD6680/FDU6680
November 2004
FDD6680 / FDU6680
30V N-Channel PowerTrench
廬
MOSFET
General Description
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild
Semiconductor鈥檚 advanced PowerTrench process that
has been especially tailored to minimize the on state
resistance and yet maintain low gate charge for
superior switching performance.
Features
鈥?/div>
46 A, 30 V
R
DS(ON)
= 10 m鈩?@ V
GS
= 10 V
R
DS(ON)
= 15 m鈩?@ V
GS
= 4.5 V
鈥?/div>
Low gate charge
鈥?/div>
Fast Switching Speed
鈥?/div>
High performance trench technology for extremely
low R
DS(ON)
Applications
鈥?/div>
DC/DC converter
鈥?/div>
Motor Drives
D
D
G
S
I-PAK
(TO-251AA)
G D S
G
D-PAK
TO-252
(TO-252)
S
Absolute Maximum Ratings
Symbol
V
DSS
V
GSS
I
D
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
T
A
=25 C unless otherwise noted
o
Parameter
Ratings
30
鹵20
(Note 3)
(Note 1a)
(Note 1a)
(Note 3)
(Note 1a)
(Note 1b)
Units
V
V
A
Continuous Drain Current @T
C
=25擄C
@T
A
=25擄C
Pulsed
46
12
100
56
3.3
1.5
鈥?5 to +175
P
D
Power Dissipation
@T
C
=25擄C
@T
A
=25擄C
@T
A
=25擄C
W
T
J
, T
STG
Operating and Storage Junction Temperature Range
擄C
Thermal Characteristics
R
胃JC
R
胃JA
R
胃JA
Thermal Resistance, Junction-to-Case
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
(Note 1)
(Note 1a)
(Note 1b)
2.7
45
96
擄C/W
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
FDD6680
FDU6680
Device
FDD6680
FDU6680
Package
D-PAK (TO-252)
I-PAK (TO-251)
Reel Size
13鈥欌€?/div>
Tube
Tape width
12mm
N/A
Quantity
2500 units
75
漏2004
Fairchild Semiconductor Corporation
FDD6680/FDU6680 Rev. C1(W)

FDU6680 產(chǎn)品屬性

  • 1,800

  • 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

  • FET - 單

  • PowerTrench®

  • MOSFET N 通道，金屬氧化物

  • 邏輯電平門

  • 30V

  • 12A

  • 10 毫歐 @ 12A，10V

  • 3V @ 250µA

  • 18nC @ 5V

  • 1230pF @ 15V

  • 1.5W

  • 通孔

  • TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA

  • I-Pak

  • 管件

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    N-Channel MOSFET
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    N-Channel MOSFET
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    250V N-Channel MOSFET
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