FDN336P Datasheet

IC型號：
FDN336P
PDF描述：
Single P-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET
文件大?。?/label>
66.90KB
PDF頁數(shù)：
5頁
芯片廠家：
FAIRCHILD

閱覽下載糾錯 0

掃碼查看芯片數(shù)據(jù)手冊

上傳產(chǎn)品規(guī)格書

PDF預覽

November 1998

FDN336P

Single P-Channel 2.5V Specified PowerTrench

MOSFET

General Description

This P-Channel 2.5V specified MOSFET is produced

using Fairchild Semiconductor's advanced PowerTrench

process that has been especially tailored to minimize the

on-state resistance and yet maintain low gate charge for

superior switching performance.

These devices are well suited for portable electronics

applications: load switching and power management,

battery charging circuits, and DC/DC conversion.

Features

-1.3 A, -20 V. R

DS(ON)

= 0.20

鈩?/div>

@ V

= -4.5 V

DS(ON)

= 0.27

鈩?/div>

@ V

= -2.5 V.

Low gate charge (3.6 nC typical).

High performance trench technology for extremely low

DS(ON)

High power version of industry standard SOT-23 package.

Identical pin out to SOT-23 with 30% higher power handling

capability.

SOT-23

SuperSOT -6

SuperSOT

-8

SO-8

SOT-223

SOIC-16

SuperSOT -3

Absolute Maximum Ratings

Symbol

DSS

GSS

STG

胃

Parameter

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Drain Current

= 25

C unless other wise noted

FDN336P

-20

鹵8

Units

- Continuous

- Pulsed

-1.3

-10

(Note 1a)

(Note 1b)

Maximum Power Dissipation

0.5

0.46

-55 to +150

Operating and Storage Temperature Range

擄C

THERMAL CHARACTERISTICS

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

Thermal Resistance, Junction-to-Case

(Note 1a)

(Note 1)

250

擄C/W

漏 1998 Fairchild Semiconductor Corporation

FDN336P Rev.C

產(chǎn)品培訓模塊
High Voltage Switches for Power Processing
標準包裝
3,000
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
PowerTrench®
FET 型
MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
1.3A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
200 毫歐 @ 1.3A，4.5V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
1.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
5nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
330pF @ 10V
功率 - 最大
460mW
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供應商設備封裝
3-SSOT
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
FDN336PTR

FDN336P相關型號PDF文件下載

型號

版本

描述

廠商

下載
FDN302

英文版

P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET

FAIRCHILD

FDN302
FDN302

英文版

P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET

FAIRCHILD ...

FDN302
FDN335

英文版

N-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET

FAIRCHILD

FDN335
FDN335

英文版

N-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET

FAIRCHILD ...

FDN335
FDN336

英文版

Single P-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET

FAIRCHILD

FDN336
FDN336

英文版

Single P-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET

FAIRCHILD ...

FDN336
FDN338

英文版

P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transist...

FAIRCHILD

FDN338
FDN338

英文版

P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transist...

FAIRCHILD ...

FDN338
FDN340

英文版

Single P-Channel, Logic Level, PowerTrench MOSFET

FAIRCHILD

FDN340
FDN340

英文版

Single P-Channel, Logic Level, PowerTrench MOSFET

FAIRCHILD ...

FDN340
FDN358

英文版

P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transist...

FAIRCHILD

FDN358
FDN358

英文版

P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transist...

FAIRCHILD ...

FDN358
FDN359

英文版

N-Channel Logic Level PowerTrenchTM MOSFET

FAIRCHILD

FDN359
FDN359

英文版

N-Channel Logic Level PowerTrenchTM MOSFET

FAIRCHILD ...

FDN359
FDN360

英文版

Single P-Channel PowerTrenchTM MOSFET

FAIRCHILD

FDN360
FDN360

英文版

Single P-Channel PowerTrenchTM MOSFET

FAIRCHILD ...

FDN360
FDN361

英文版

N-Channel, Logic Level, PowerTrenchビヌ

FAIRCHILD

FDN361
FDN361

英文版

N-Channel, Logic Level, PowerTrenchビヌ

FAIRCHILD ...

FDN361
FDN302P

英文版

P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET

FAIRCHILD

FDN302P
FDN302P

英文版

MOSFET P-CH 20V 2.4A SSOT3

FDN302P

FDN336P Datasheet

PDF預覽

FDN336P 產(chǎn)品屬性

FDN336P相關型號PDF文件下載

您可能感興趣的PDF文件資料

熱門IC型號推薦

FDN336P Datasheet

PDF預覽

FDN336P 產(chǎn)品屬性

FDN336P相關型號PDF文件下載

您可能感興趣的PDF文件資料

熱門IC型號推薦

建議反饋

PDF糾錯X