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FDC6320 Datasheet

  • FDC6320

  • Dual N & P Channel , Digital FET

  • 7頁

  • FAIRCHILD

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October 1997
FDC6320C
Dual N & P Channel , Digital FET
General Description
These dual N & P Channel logic level enhancement mode field
effec transistors are produced using Fairchild's proprietary,
high cell density, DMOS technology. This very high density
process is especially tailored to minimize on-state resistance.
The device is an improved design especially for low voltage
applications as a replacement for bipolar digital transistors in
load switching applications. Since bias resistors are not
required, this dual digital FET can replace several digital
transistors with difference bias resistors.
Features
N-Ch 25 V, 0.22 A, R
DS(ON)
= 5
鈩?/div>
@ V
GS
= 2.7 V.
P-Ch 25 V, -0.12 A, R
DS(ON)
= 13
鈩?/div>
@ V
GS
= -2.7 V.
Very low level gate drive requirements allowing direct
operation in 3 V circuits. V
GS(th)
< 1.5 V.
Gate-Source Zener for ESD ruggedness.
>6kV Human Body Model
Replace NPN & PNP digital transistors.
SOT-23
SuperSOT -6
TM
SuperSOT -8
TM
SO-8
SOT-223
SOIC-16
4
3
5
2
6
1
Absolute Maximum Ratings
Symbol
V
DSS
, V
CC
V
GSS
, V
IN
I
D
, I
O
P
D
T
J
,T
STG
ESD
Parameter
T
A
= 25
o
C unless other wise noted
N-Channel
25
8
P-Channel
-25
-8
-0.12
-0.5
0.9
0.7
-55 to 150
6
擄C
kV
W
Units
V
V
A
Drain-Source Voltage, Power Supply Voltage
Gate-Source Voltage,
Drain/Output Current
- Continuous
- Pulsed
Maximum Power Dissipation
(Note 1a)
(Note 1b)
0.22
0.5
Operating and Storage Tempature Ranger
Electrostatic Discharge Rating MIL-STD-883D
Human Body Model (100pf / 1500 Ohm)
THERMAL CHARACTERISTICS
R
胃JA
R
胃
J
C
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
Thermal Resistance, Junction-to-Case
(Note 1a)
(Note 1)
140
60
擄C/W
擄C/W
漏 1997 Fairchild Semiconductor Corporation
FDC6320C.Rev C

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  • 型號(hào)
    版本
    描述
    廠商
    下載
  • 英文版
    60 WATTS OUTPUT POWER
    ETC
  • 英文版
    60 WATTS OUTPUT POWER
    ETC [ETC]
  • 英文版
    P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
    FAIRCHILD
  • 英文版
    P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
    FAIRCHILD ...
  • 英文版
    P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET
    FAIRCHILD
  • 英文版
    P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET
    FAIRCHILD ...
  • 英文版
    P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
    FAIRCHILD
  • 英文版
    P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
    FAIRCHILD ...
  • 英文版
    P-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET
    FAIRCHILD
  • 英文版
    P-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET
    FAIRCHILD ...
  • 英文版
    P-Channel 2.5V Specified PowerTrench⑩MOSFET
    FAIRCHILD
  • 英文版
    P-Channel 2.5V Specified PowerTrench⑩MOSFET
    FAIRCHILD ...
  • 英文版
    N-Channel PowerTrench MOSFET
    FAIRCHILD
  • 英文版
    N-Channel PowerTrench MOSFET
    FAIRCHILD ...
  • 英文版
    N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
    FAIRCHILD
  • 英文版
    N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
    FAIRCHILD ...
  • 英文版
    P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
    FAIRCHILD
  • 英文版
    P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
    FAIRCHILD ...
  • 英文版
    P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET
    FAIRCHILD
  • 英文版
    P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET
    FAIRCHILD ...

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