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Low On-Resistance

Low Gate Threshold Voltage

Low Input Capacitance

Fast Switching Speed

Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 2)

ESD Protected Gate

"Green" Device (Note 4)

Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability

A

D

B

G

TOP VIEW

S

E

D

G

H

K

J

L

C

SC-59

Dim

A

B

C

D

M

Min

0.30

1.40

2.50

0.85

0.30

1.70

2.70

鈳?/div>

1.00

0.55

0.10

0擄

Max

0.50

1.80

3.00

1.05

0.70

2.10

3.10

0.10

1.40

0.70

0.35

8擄

Mechanical Data

鈥?/div>

Case: SC-59

Case Material: Molded Plastic, 鈥淕reen鈥?Molding

Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0

Moisture sensitivity: Level 1 per J-STD-020C

Terminals: Finish 鈥?Matte Tin annealed over Copper

leadframe. Solderable per MIL-STD-202, Method 208

Terminal Connections: See Diagram

Marking: See Last Page

Ordering & Date Code Information: See Last Page

Weight: 0.008 grams (approximate)

Drain

E

G

H

J

K

L

Gate

M

偽

Gate

Protection

Diode

Source

All Dimensions in mm

EQUIVALENT CIRCUIT

ESD protected

Maximum Ratings

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

@T

A

= 25擄C unless otherwise specified

Symbol

V

DSS

V

GSS

I

D

I

DM

P

d

R

胃JA

T

j

, T

STG

Value

-20

鹵12

-0.7

-2.8

500

250

-65 to +150

Unit

V

A

mW

擄C/W

擄C

Characteristic

Drain Current (Note 1) Steady State

Pulsed Drain Current (Note 3)

Total Power Dissipation (Note 1)

Thermal Resistance, Junction to Ambient

Operating and Storage Temperature Range

Notes:

1.

2.

3.

4.

Device mounted on FR-4 PCB.

No purposefully added lead.

Pulse width

鈮?0渭S,

Duty Cycle

鈮?%.

Diodes Inc.'s "Green" policy can be found on our website at http://www.diodes.com/products/lead_free/index.php.

DS30790 Rev. 2 - 2

1 of 4

www.diodes.com

DMP2012SN

漏 Diodes Incorporated

標準包裝
3,000
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
700mA
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
300 毫歐 @ 400mA，4.5V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
1.2V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
-
輸入電容 (Ciss) @ Vds
180pF @ 10V
功率 - 最大
500mW
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供應商設備封裝
SC-59-3
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
DMP2012SNDITR

DMP2012SN-7相關(guān)型號PDF文件下載

型號

版本

描述

廠商

下載
DMP2104V

英文版

P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

DIODES

DMP2104V
DMP2104V

英文版

P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

DIODES [Di...

DMP2104V
DMP2012SN

英文版

P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

DIODES

DMP2012SN
DMP2012SN

英文版

P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

DIODES [Di...

DMP2012SN
DMP2104LP

英文版

P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

DIODES

DMP2104LP
DMP2104LP

英文版

P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

DIODES [Di...

DMP2104LP
DMP2004K-7

英文版

MOSFET P-CH 20V 600MA SOT23-3

DMP2004K-7
DMP2035U-7

英文版

MOSFET P-CH 20V 3.6A SOT-23

DMP2035U-7
DMP2104V-7

英文版

MOSFET P-CH 20V 0.86A SOT-563

DMP2104V-7
DMP2104V-7

英文版

P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

DIODES [Di...

DMP2104V-7
DMP2123L-7

英文版

MOSFET P-CH 20V 3A SOT23-3

DMP2123L-7
DMP2130L-7

英文版

MOSFET P-CH 20V 3A SOT23-3

DMP2130L-7
DMP2160U-7

英文版

MOSFET P-CH 20V 3.2A SOT-23

DMP2160U-7
DMP2215L-7

英文版

MOSFET P-CH 20V 2.7A SOT23-3

DMP2215L-7
DMP2215L-7

英文版

MOSFET P-CHANNEL SOT-23; Transistor Polarity:P Channel; Cont...

DMP2215L-7
DMP2225L-7

英文版

MOSFET P-CH 20V 2.6A SOT23-3

DMP2225L-7
DMP2305U-7

英文版

MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT-23

DMP2305U-7
DMP2004TK-...

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MOSFET P-CH 20V 0.43A SOT-523

DMP2004TK-7
DMP2004VK-...

英文版

MOSFET 2P-CH 20V 0.53A SOT-563

DMP2004VK-7
DMP2012SN-...

英文版

P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

DIODES

DMP2012SN-7

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