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IC Datasheet頻道、中國IC資料網(wǎng)

DG636EQ-T1-E3 Datasheet

IC型號：
DG636EQ-T1-E3
PDF描述：
0.5 pC Charge Injection, 100 pA Leakage, Dual SPDT Analog Sw...
文件大?。?/label>
190.35KB
芯片廠家：
VISAY [Vishay Siliconix]

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上傳產(chǎn)品規(guī)格書

DG636EQ-T1-E3 產(chǎn)品屬性

數(shù)據(jù)列表
DG636
標準包裝
3,000
類別
集成電路 (IC)
家庭
接口 - 模擬開關(guān)，多路復用器，多路分解器
系列
-
功能
開關(guān)
電路
2 x SPDT
導通狀態(tài)電阻
160 歐姆
電壓電源
-
電壓 - 電源，單路/雙路(±)
-
電流 - 電源
1µA
工作溫度
-40°C ~ 125°C
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
14-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）
供應商設(shè)備封裝
14-TSSOP
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
DG636EQ-T1-E3TR

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型號

版本

描述

廠商

下載
DG636

英文版

0.5 pC Charge Injection, 100 pA Leakage, Dual SPDT Analog Sw...

VISAY [Vis...

DG636
DG636EN-T1...

英文版

2 Circuit IC Switch 2:1 115 Ohm 16-miniQFN (1.8x2.6)

DG636EN-T1-E4
DG636EN-T1...

英文版

0.5 pC Charge Injection, 100 pA Leakage, Dual SPDT Analog Sw...

VISAY [Vis...

DG636EN-T1-E4
DG636EQ-T1...

英文版

2 Circuit IC Switch 2:1 115 Ohm 14-TSSOP

DG636EQ-T1-E3
DG636EQ-T1...

英文版

0.5 pC Charge Injection, 100 pA Leakage, Dual SPDT Analog Sw...

VISAY [Vis...

DG636EQ-T1-E3

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