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BZT55C51 Datasheet

  • BZT55C51

  • Silicon Epitaxial Planar Z-Diodes

  • 6頁

  • TEMIC

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TELEFUNKEN Semiconductors
BZT55C...
Silicon Epitaxial Planar Z鈥揇iodes
Features
D
Very sharp reverse characteristic
D
Low reverse current level
D
Very high stability
D
Low noise
D
Available with tighter tolerances
Applications
Voltage stabilization
94 9373
Absolute Maximum Ratings
T
j
= 25_C
Parameter
Power dissipation
Z鈥揷urrent
Junction temperature
Storage temperature range
Test Conditions
R
thJA
x300K/W
Type
Symbol
P
V
I
Z
T
j
T
stg
Value
500
P
V
/V
Z
175
鈥?5...+175
Unit
mW
mA
擄C
擄C
Maximum Thermal Resistance
T
j
= 25_C
Parameter
Junction ambient
Test Conditions
on PC board 50mmx50mmx1.6mm
Symbol
R
thJA
Value
500
Unit
K/W
Characteristics
T
j
= 25_C
Parameter
Forward voltage
Test Conditions
I
F
=200mA
Type
Symbol
V
F
Min
Typ
Max
1.5
Unit
V
Rev. A1: 12.12.1994
1

BZT55C51 產品屬性

  • Taiwan Semiconductor

  • 穩(wěn)壓二極管

  • 51 V

  • 6 %

  • 500 mW

  • 0.1 uA

  • 125 Ohms

  • + 200 C

  • SMD/SMT

  • Mini-MELF

  • Reel

  • - 65 C

  • 2500

  • L1

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