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BZM55C75 Datasheet

  • BZM55C75

  • Silicon Epitaxial Planar Z-Diodes

  • 6頁

  • VISHAY   VISHAY

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BZM55C...
Vishay Telefunken
Silicon Epitaxial Planar Z鈥揇iodes
Features
D
D
D
D
D
D
D
D
D
Saving space
Hermetic sealed parts
Fits onto SOD 323 / SOT 23 footprints
Electrical data identical with the devices
BZT55C... / TZMC...
Very sharp reverse characteristic
Low reverse current level
Very high stability
Low noise
Available with tighter tolerances
96 12315
Applications
Voltage stabilization
Absolute Maximum Ratings
T
j
= 25
_
C
Parameter
Power dissipation
Z鈥揷urrent
Junction temperature
Storage temperature range
Test Conditions
R
thJA
300K/W
x
Type
Symbol
P
V
I
Z
T
j
T
stg
Value
500
P
V
/V
Z
175
鈥?5...+175
Unit
mW
mA
擄
C
擄
C
Maximum Thermal Resistance
T
j
= 25
_
C
Parameter
Test Conditions
Junction ambient mounted on epoxy鈥揼lass hard tissue, Fig. 1
Junction tie point 35
m
m copper clad, 0.9 mm
2
copper area per electrode
Symbol
R
thJA
R
thJL
Value
500
300
Unit
K/W
K/W
Electrical Characteristics
T
j
= 25
_
C
Parameter
Forward voltage
Test Conditions
I
F
=200mA
Type
Symbol
V
F
Min
Typ
Max
1.5
Unit
V
Document Number 85598
Rev. 3, 01-Apr-99
www.vishay.de
鈥?/div>
FaxBack +1-408-970-5600
1 (6)

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