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BYV72EF Datasheet

  • BYV72EF

  • Rectifier diodes ultrafast, rugged

  • 6頁

  • PHILIPS

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Philips Semiconductors
Product specification
Rectifier diodes
ultrafast, rugged
FEATURES
鈥?Low forward volt drop
鈥?Fast switching
鈥?Soft recovery characteristic
鈥?Reverse surge capability
鈥?High thermal cycling performance
鈥?Isolated mounting tab
BYV72EF series
SYMBOL
QUICK REFERENCE DATA
V
R
= 150 V/ 200 V
a1
1
k 2
a2
3
V
F
鈮?/div>
0.9 V
I
O(AV)
= 20 A
I
RRM
= 0.2 A
t
rr
鈮?/div>
28 ns
GENERAL DESCRIPTION
Dual, ultra-fast, epitaxial rectifier
diodes intended for use as output
rectifiers in high frequency switched
mode power supplies.
The BYV72EF series is supplied in
the conventional leaded SOT199
package.
PINNING
PIN
1
2
3
tab
DESCRIPTION
anode 1 (a)
cathode (k)
anode 2 (a)
isolated
SOT199
case
1
2
3
LIMITING VALUES
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134).
SYMBOL
V
RRM
V
RWM
V
R
I
O(AV)
I
FRM
I
FSM
PARAMETER
Peak repetitive reverse voltage
Crest working reverse voltage
Continuous reverse voltage
Average rectified output current
(both diodes conducting)
1
Repetitive peak forward current
per diode
Non-repetitive peak forward
current per diode
CONDITIONS
BYV72EF
T
hs
鈮?/div>
125藲C
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-40
-
MIN.
-150
150
150
150
20
30
150
160
0.2
0.2
150
150
MAX.
-200
200
200
200
UNIT
V
V
V
A
A
A
A
A
A
藲C
藲C
I
RRM
I
RSM
T
stg
T
j
square wave
未
= 0.5; T
hs
鈮?/div>
78 藲C
t = 25
碌s; 未
= 0.5;
T
hs
鈮?/div>
78 藲C
t = 10 ms
t = 8.3 ms
sinusoidal; with reapplied
V
RWM(max)
Repetitive peak reverse current t
p
= 2
碌s; 未
= 0.001
per diode
Non-repetitive peak reverse
t
p
= 100
碌s
current per diode
Storage temperature
Operating junction temperature
1
Neglecting switching and reverse current losses.
July 1998
1
Rev 1.100

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  • 型號
    版本
    描述
    廠商
    下載
  • 英文版
    DIODE 30 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode
    PHILIPS
  • 英文版
    Dual rectifier diodes ultrafast
    PHILIPS
  • 英文版
    Dual rectifier diodes ultrafast
    PHILIPS [P...
  • 英文版
    Rectifier diodes ultrafast
    PHILIPS
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