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BYV118 Datasheet

  • BYV118

  • Rectifier diodes Schottky barrier

  • 39.49KB

  • 6頁

  • PHILIPS

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Philips Semiconductors
Product specification
Rectifier diodes
Schottky barrier
FEATURES
鈥?Low forward volt drop
鈥?Fast switching
鈥?Reverse surge capability
鈥?High thermal cycling performance
鈥?Low thermal resistance
BYV118, BYV118B series
SYMBOL
QUICK REFERENCE DATA
V
R
= 35 V/ 40 V/ 45 V
a1
1
k 2
a2
3
I
O(AV)
= 10 A
V
F
鈮?/div>
0.6 V
GENERAL DESCRIPTION
Dual, common cathode schottky rectifier diodes in a conventional leaded plastic package and a surface mounting
plastic package. Intended for use as output rectifiers in low voltage, high frequency switched mode power supplies.
The BYV118 series is supplied in the SOT78 conventional leaded package.
The BYV118B series is supplied in the SOT404 surface mounting package.
PINNING
PIN
1
2
3
tab
DESCRIPTION
anode 1 (a)
cathode (k)
1
anode 2 (a)
cathode (k)
SOT78 (TO220AB)
tab
SOT404
tab
2
1 23
1
3
LIMITING VALUES
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134)
SYMBOL PARAMETER
CONDITIONS
BYV118-
BYV118B-
V
RRM
V
RWM
V
R
I
O(AV)
I
FRM
I
FSM
Peak repetitive reverse
voltage
Working peak reverse
voltage
Continuous reverse voltage
Average rectified forward
current (both diodes
conducting)
Repetitive peak forward
current (per diode)
Non-repetitive peak forward
current per diode
Peak repetitive reverse
surge current per diode
Operating junction
temperature
Storage temperature
-
-
T
mb
鈮?/div>
108 藲C
square wave;
= 0.5;
T
mb
鈮?/div>
127 藲C
square wave;
= 0.5;
T
mb
鈮?/div>
127 藲C
t = 10 ms
t = 8.3 ms
sinusoidal; T
j
= 125 藲C prior to
surge; with reapplied V
RRM(max)
pulse width and repetition rate
limited by T
j max
-
-
-
-
-
-
-
- 65
MIN.
35
35
35
35
35
MAX.
40
40
40
40
40
10
10
100
110
1
150
175
45
45
45
45
45
UNIT
V
V
V
A
A
A
A
A
藲C
藲C
I
RRM
T
j
T
stg
1.
It is not possible to make connection to pin 2 of the SOT404 pckage.
May 1998
1
Rev 1.300

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    Schottky barrier diodes
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    VISHAY
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    FAST RECOVERY RECTIFIER
    BILIN
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