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BUT30V Datasheet

  • BUT30V

  • NPN TRANSISTOR POWER MODULE

  • 7頁

  • STMICROELECTRONICS   STMICROELECTRONICS

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BUT30V
NPN TRANSISTOR POWER MODULE
s
s
s
s
s
s
s
NPN TRANSISTOR
HIGH CURRENT POWER BIPOLAR MODULE
VERY LOW R
th
JUNCTION CASE
SPECIFIED ACCIDENTAL OVERLOAD
AREAS
ISOLATED CASE (2500V RMS)
EASY TO MOUNT
LOW INTERNAL PARASITIC INDUCTANCE
Pin 4 not con nected
APPLICATIONS:
s
MOTOR CONTROL
s
SMPS & UPS
s
WELDING EQUIPMENT
ISOTOP
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
V
CEV
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
t ot
T
stg
T
j
V
ISO
July 1997
Parameter
Collector-Emitter Voltage (V
BE
= -5 V)
Emitter-Base Voltage (I
C
= 0)
Collector Current
Collector Peak Current (t
p
= 10 ms)
Base Current
Base Peak Current (t
p
= 10 ms)
Total Dissipation at T
c
= 25 C
St orage Temperature
Max. Operating Junction Temperature
Insulation W ithstand Voltage (AC-RMS)
o
Value
200
125
7
100
150
20
30
250
-55 to 150
150
2500
Uni t
V
V
V
A
A
A
A
W
o
o
V
CEO(sus)
Collector-Emitter Voltage (I
B
= 0)
C
C
V
1/7

BUT30V 產(chǎn)品屬性

  • BUT30V View All Specifications

  • 10

  • 半導(dǎo)體模塊

  • 晶體管

  • -

  • NPN

  • 100A

  • 125V

  • 900mV @ 10A，100A

  • -

  • 27 @ 100A，5V

  • 250W

  • -

  • 底座安裝

  • ISOTOP

  • ISOTOP?

  • 管件

  • 497-7212-5BUT30V-ND

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