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BTS3118D Datasheet

  • BTS3118D

  • Smart Lowside Power Switch

  • 10頁

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HITFET
餂?/div>
=
BTS 3118 D
Smart Lowside Power Switch
Features
Logic Level Input
Input Protection (ESD)
Thermal shutdown
Overload protection
Short circuit protection
Overvoltage protection
Current limitation
Analog driving possible
Product Summary
Drain source voltage
On-state resistance
Nominal load current
Clamping energy
V
DS
R
DS(on)
I
D(Nom)
E
AS
42
100
2.4
2
V
A
J
m
Application
All kinds of resistive, inductive and capacitive loads in switching
or linear applications
碌C compatible power switch for 12 V DC applications
Replaces electromechanical relays and discrete circuits
technology. Fully protected by embedded
V
bb
General Description
HITFET
Current
Limitation
In
Pin 1
Overvoltage-
Protection
Gate-Driving
Unit
Over-
temperature
Protection
ESD
Overload
Protection
Short circuit
Protection
Pin 3
Source
Page 1

N channel vertical power FET in Smart SIPMOS
protection functions.
M
Drain
Pin 2 and 4 (TAB)
2002-09-04













BTS3118D 產(chǎn)品屬性

  • BTS3118D

  • 2,500

  • 集成電路 (IC)

  • PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 內(nèi)部開關(guān)

  • HITFET®

  • 低端

  • 非反相

  • 1

  • 70 毫歐

  • 2.4A

  • 15A

  • 2.2 V ~ 10 V

  • -40°C ~ 150°C

  • 表面貼裝

  • TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

  • PG-TO252-3

  • 帶卷 (TR)

  • BTS3118D-NDBTS3118DINTRBTS3118DNTBTS3118DTBTS3118DXTSP000013725SP000292875SP000506216

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