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BS170 Datasheet

  • BS170

  • TMOS FET Switching(N-Channel-Enhancement)

  • 4頁

  • MOTOROLA   MOTOROLA

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MOTOROLA
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
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by BS170/D
TMOS FET Switching
N鈥揅hannel 鈥?Enhancement
1 DRAIN
BS170
2
GATE
3 SOURCE
廬
MAXIMUM RATINGS
Rating
Drain 鈥?Source Voltage
Gate鈥揝ource Voltage
鈥?Continuous
鈥?Non鈥搑epetitive (tp
鈮?/div>
50
碌s)
Drain Current(1)
Total Device Dissipation @ TA = 25擄C
Operating and Storage Junction
Temperature Range
Symbol
VDS
VGS
VGSM
ID
PD
TJ, Tstg
Value
60
鹵
20
鹵
40
0.5
350
1
Unit
Vdc
Vdc
Vpk
Adc
mW
擄C
2
3
CASE 29鈥?4, STYLE 30
TO鈥?2 (TO鈥?26AA)
鈥?55 to +150
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TA = 25擄C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Gate Reverse Current
(VGS = 15 Vdc, VDS = 0)
Drain鈥揝ource Breakdown Voltage
(VGS = 0, ID = 100
碌A(chǔ)dc)
IGSS
V(BR)DSS
鈥?/div>
60
0.01
90
10
鈥?/div>
nAdc
Vdc
ON CHARACTERISTICS(2)
Gate Threshold Voltage
(VDS = VGS, ID = 1.0 mAdc)
Static Drain鈥揝ource On Resistance
(VGS = 10 Vdc, ID = 200 mAdc)
Drain Cutoff Current
(VDS = 25 Vdc, VGS = 0 Vdc)
Forward Transconductance
(VDS = 10 Vdc, ID = 250 mAdc)
VGS(Th)
rDS(on)
ID(off)
gfs
0.8
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
2.0
1.8
鈥?/div>
200
3.0
5.0
0.5
鈥?/div>
Vdc
鈩?/div>
碌A(chǔ)
mmhos
SMALL鈥?SIGNAL CHARACTERISTICS
Input Capacitance
(VDS = 10 Vdc, VGS = 0, f = 1.0 MHz)
Ciss
鈥?/div>
鈥?/div>
60
pF
SWITCHING CHARACTERISTICS
Turn鈥揙n Time
(ID = 0.2 Adc) See Figure 1
Turn鈥揙ff Time
(ID = 0.2 Adc) See Figure 1
ton
toff
鈥?/div>
鈥?/div>
4.0
4.0
10
10
ns
ns
1. The Power Dissipation of the package may result in a lower continuous drain current.
2. Pulse Test: Pulse Width
300
碌s,
Duty Cycle
2.0%.
v
v
REV 1
Motorola Small鈥揝ignal Transistors, FETs and Diodes Device Data
漏
Motorola, Inc. 1997
1

BS170 產(chǎn)品屬性

  • 1,000

  • 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

  • FET - 單

  • -

  • MOSFET N 通道，金屬氧化物

  • 標(biāo)準(zhǔn)型

  • 60V

  • 500mA

  • 5 歐姆 @ 200mA，10V

  • 3V @ 1mA

  • -

  • 60pF @ 10V

  • 350mW

  • 通孔

  • TO-226-3、TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)主體

  • TO-92-3

  • 管件

  • BS170OS

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  • 型號(hào)
    版本
    描述
    廠商
    下載
  • 英文版
    Small Signal MOSFET Small Signal MOSFET Small Signal MOSFET
    ONSEMI
  • 英文版
    DMOS Transistors (N-Channel)
    VISHAY
  • 英文版
    N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE TRANSISTOR
    DIODES
  • 英文版
    N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
    FAIRCHILD
  • 英文版
    SIPMOS Small-Signal Transistor (N channel Enhancement mode L...
    INFINEON
  • 英文版
    N-channel vertical D-MOS transistor
    PHILIPS
  • 英文版
    TMOS FET Switching(N-Channel-Enhancement)
    MOTOROLA
  • 英文版
    MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92
  • 英文版
    TMOS FET Switching(N-Channel-Enhancement)
    MOTOROLA [...
  • 英文版
    Small Signal MOSFET Small Signal MOSFET Small Signal MOSFET
    ONSEMI [ON...
  • 英文版
    SIPMOS Small-Signal Transistor (N channel Enhancement mode L...
    SIEMENS [S...
  • 英文版
    N-channel vertical D-MOS transistor
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    DIODES [Di...
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