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BG3130R Datasheet

  • BG3130R

  • DUAL N-Channel MOSFET Tetrode

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BG3130...
DUAL N-Channel MOSFET Tetrode
4
5
6
鈥?/div>
Two gain controlled input stage for UHF
and VHF -tuners e.g. (NTSC, PAL)
鈥?/div>
Two AGC amplifiers in one single package
鈥?/div>
Integrated gate protection diodes
鈥?/div>
High AGC-range, low noise figure, high gain
鈥?/div>
Improved cross modulation at gain reduction
BG3130
6
5
4
2
1
3
VPS05604
BG3130R
6
5
4
Drain
AGC
HF
Input
G2
G1
R
G1
V
GG
HF Output
+ DC
B
A
B
2
3
1
1
A
2
3
GND
EHA07461
ESD
:
E
lectro
s
tatic
d
ischarge sensitive device, observe handling precaution!
Type
BG3130
BG3130R
Package
SOT363
SOT363
1=G1
1=G1
2=G2
2=S
Pin Configuration
3=D
3=D
4=D
4=D
5=S
5=G2
6=G1
6=G1
Marking
KAs
KHs
180擄 rotated tape loading orientation available
Maximum Ratings
Parameter
Drain-source voltage
Continuous drain current
Gate 1/ gate 2-source current
Gate 1/ gate 2-source voltage
Total power dissipation
Storage temperature
Channel temperature
Thermal Resistance
Parameter
Channel - soldering point
1)
Symbol
R
thchs
Symbol
V
DS
I
D
鹵I
G1/2SM
鹵V
G1/G2S
P
tot
T
stg
T
ch
Value
8
25
1
6
200
-55 ... 150
150
Unit
V
mA
V
mW
擄C
Value
鈮?/div>
280
Unit
K/W
1For calculation of
R
thJA
please refer to Application Note Thermal Resistance
1
Feb-27-2004

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