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BD437 Datasheet

  • BD437

  • Medium Power Linear and Switching Applications

  • 5頁

  • FAIRCHILD

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BD433/435/437
BD433/435/437
Medium Power Linear and Switching
Applications
鈥?Complement to BD434, BD436 and BD438 respectively
1
TO-126
2.Collector
3.Base
1. Emitter
NPN Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
C
=25擄C unless otherwise noted
Symbol
V
CBO
Collector-Base Voltage
: BD433
: BD435
: BD437
V
CES
Collector-Emitter Voltage
: BD433
: BD435
: BD437
Collector-Emitter Voltage
: BD433
: BD435
: BD437
Emitter-Base Voltage
Collector Current (DC)
*Collector Current (Pulse)
Base Current
Collector Dissipation (T
C
=25擄C)
Junction Temperature
Storage Temperature
22
32
45
22
32
45
22
32
45
5
4
7
1
36
150
- 65 ~ 150
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
A
W
擄C
擄C
Parameter
Value
Units
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
P
C
T
J
T
STG
漏2001 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A1, June 2001

BD437 產(chǎn)品屬性

  • 500

  • 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

  • 晶體管(BJT) - 單路

  • -

  • NPN

  • 4A

  • 45V

  • 800mV @ 300mA，3A

  • -

  • 85 @ 500mA，1V

  • 36W

  • 3MHz

  • 通孔

  • TO-225AA，TO-126-3

  • TO225AA

  • 散裝

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