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BCW61CLT1 Datasheet

  • BCW61CLT1

  • General Purpose Transistors(PNP Silicon)

  • 255.09KB

  • 6頁(yè)

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LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
General Purpose Transistors
PNP Silicon
3
COLLECTOR
BCW61BLT1
BCW61CLT1
BCW61DLT1
3
1
BASE
2
EMITTER
1
MAXIMUM RATINGS
2
Rating
Collector鈥揈mitter Voltage
Collector鈥揃ase Voltage
Emitter鈥揃ase Voltage
Collector Current 鈥?Continuous
Symbol
V
CEO
V
CBO
V
EBO
Value
鈥?32
鈥?32
鈥?5.0
鈥?100
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
mAdc
CASE 318鈥?8, STYLE 6
SOT鈥?3 (TO鈥?36AB)
I
C
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Total Device Dissipation FR鈥?5 Board, (1)
T
A
= 25擄C
Derate above 25擄C
Thermal Resistance, Junction to Ambient
Total Device Dissipation
Alumina Substrate, (2) T
A
= 25擄C
Derate above 25擄C
Thermal Resistance, Junction to Ambient
Junction and Storage Temperature
Symbol
P
D
Max
225
1.8
R
胃JA
P
D
556
300
2.4
R
胃JA
T
J
, T
stg
417
鈥?5 to +150
Unit
mW
mW/擄C
擄C/W
mW
mW/擄C
擄C/W
擄C
DEVICE MARKING
BCW61BLT1 = BB, BCW61CLT1 = BC, BCW61DLT1 = BD
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
= 25擄C unless otherwise noted.)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Collector鈥揈mitter Breakdown Voltage
(I
C
= 鈥?.0 mAdc, I
B
= 0 )
Emitter鈥揃ase Breakdown Voltage
(I
E
= 鈥?.0
碌A(chǔ)dc,
I
C
= 0)
Collector Cutoff Current
(V
CE
= 鈥?2 Vdc, )
(V
CE
= 鈥?2 Vdc, T
A
= 150擄C)
1. FR鈥?5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 in.
2. Alumina = 0.4 x 0.3 x 0.024 in. 99.5% alumina.
V
(BR)EBO
V
(BR)CEO
鈥?32
鈥?/div>
Vdc
鈥?5.0
鈥?/div>
Vdc
I
CES
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?0
鈥?0
nAdc
碌A(chǔ)dc
M10鈥?/6

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    INFINEON
  • 英文版
    SOT23 NPN SILICON PLANAR SMALL SIGNAL TRANSISTORS
    ZETEX
  • 英文版
    NPN general purpose transistors
    PHILIPS
  • 英文版
    Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors
    DIOTEC
  • 英文版
    TD
  • 英文版
    Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors
    DIOTEC [Di...
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