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BCV62A Datasheet

  • BCV62A

  • PNP Silicon Double Transistors (To be used as a current mirr...

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PNP Silicon Double Transistors
Preliminary Data
q
To be used as a current mirror
q
Good thermal coupling and
V
BE
matching
q
High current gain
q
Low emitter-saturation voltage
BCV 62
Type
BCV 62 A
BCV 62 B
BCV 62 C
Marking
3Js
3Ks
3Ls
Ordering Code
(tape and reel)
Q62702-C2158
Q62702-C2159
Q62702-C2160
Pin Configuration
Package
1)
SOT-143
Maximum Ratings
Parameter
Collector-emitter voltage
(transistor T1)
Collector-base voltage (open emitter)
(transistor T1)
Emitter-base voltage
Collector current
Collector peak current
Base peak current (transistor T1)
Total power dissipation,
T
S
= 99 藲C
2)
Junction temperature
Storage temperature range
Thermal Resistance
Junction - ambient
2)
Junction - soldering point
1)
2)
Symbol
V
CE0
V
CB0
V
EBS
I
C
I
CM
I
BM
P
tot
T
j
T
stg
Values
30
30
6
100
200
200
300
150
鈥?65 鈥?+ 150
Unit
V
mA
mW
藲C
R
th JA
R
th JS
鈮?/div>
240
鈮?/div>
170
K/W
For detailed information see chapter Package Outlines.
Package mounted on epoxy pcb 40 mm
脳
40 mm
脳
1.5 mm/6 cm
2
Cu.
Semiconductor Group
1
5.91

BCV62A 產(chǎn)品屬性

  • 表面貼裝

  • 1.3mm

  • SOT-143

  • 1 x 2.9 x 1.3mm

  • 4

  • PNP

  • -65 °C

  • 300 mW

  • 6 V

  • 0.85 V

  • 0.1 A

  • 30 V

  • 0.65 V

  • 30 V

  • 100 V

  • +150 °C

  • 250 MHz

  • 2

  • 雙極小信號

  • 雙共基極

  • 2.9mm

  • 1mm

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