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BC449 Datasheet

  • BC449

  • High Voltage Transistors

  • 6頁

  • ONSEMI

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BC447, BC449, BC449A
High Voltage Transistors
NPN Silicon
http://onsemi.com
MAXIMUM RATINGS
Rating
Collector-Emitter Voltage
BC447
BC449, BC449A
Collector-Base Voltage
BC447
BC449, BC449A
Emitter-Base Voltage
Collector Current - Continuous
Total Device Dissipation
@ T
A
= 25擄C
Derate above 25擄C
Total Device Dissipation
@ T
C
= 25擄C
Derate above 25擄C
Operating and Storage Junction
Temperature Range
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Electrostatic Discharge (ESD)
Symbol
V
CEO
80
100
V
CBO
80
100
V
EBO
I
C
P
D
625
5.0
P
D
1.5
12
T
J
, T
stg
-55 to
+150
MSL: 1
NA
Watts
mW/擄C
擄C
1
2
3
mW
mW/擄C
5.0
300
Vdc
mAdc
Vdc
Value
Unit
Vdc
2
BASE
3
EMITTER
COLLECTOR
1
CASE 29
TO-92
STYLE 17
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Thermal Resistance,
Junction-to-Ambient
Thermal Resistance,
Junction-to-Case
Symbol
R
胃JA
R
胃JC
Max
200
83.3
Unit
擄C/W
擄C/W
MARKING DIAGRAM
BC
44xx
YWW
BC44xx
xx
Y
WW
= Specific Device Code
= 7, 9 or 9A
= Year
= Work Week
ORDERING INFORMATION
Device
BC447
BC449
BC449A
Package
TO-92
TO-92
TO-92
Shipping
5000 Units/Box
5000 Units/Box
5000 Units/Box
漏
Semiconductor Components Industries, LLC, 2003
1
March, 2003 - Rev. 2
Publication Order Number:
BC447/D

BC449 產品屬性

  • 5,000

  • 分離式半導體產品

  • 晶體管(BJT) - 單路

  • -

  • NPN

  • 300mA

  • 100V

  • 250mV @ 10mA，100mA

  • -

  • 50 @ 2mA，5V

  • 625mW

  • 200MHz

  • 通孔

  • TO-226-3、TO-92-3 標準主體

  • TO-92-3

  • 散裝

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