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BC32825 Datasheet

  • BC32825

  • PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

  • 51.26KB

  • 4頁

  • FAIRCHILD

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上傳產(chǎn)品規(guī)格書

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BC327/328
BC327/328
Switching and Amplifier Applications
鈥?Suitable for AF-Driver stages and low power output stages
鈥?Complement to BC337/BC338
TO-92
1
1. Collector 2. Base 3. Emitter
PNP Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
a
=25擄C unless otherwise noted
Symbol
V
CES
Parameter
Collector-Emitter Voltage
: BC327
: BC328
Collector-Emitter Voltage
: BC327
: BC328
Emitter-Base Voltage
Collector Current (DC)
Collector Power Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature
Value
-50
-30
-45
-25
-5
-800
625
150
-55 ~ 150
Units
V
V
V
V
V
mA
mW
擄C
擄C
V
CEO
V
EBO
I
C
P
C
T
J
T
STG
Electrical Characteristics
T
a
=25擄C unless otherwise noted
Symbol
BV
CEO
Parameter
Collector-Emitter Breakdown Voltage
: BC327
: BC328
Collector-Emitter Breakdown Voltage
: BC327
: BC328
Emitter-Base Breakdown Voltage
Collector Cut-off Current
: BC327
: BC328
DC Current Gain
Collector-Emitter Saturation Voltage
Base-Emitter On Voltage
Current Gain Bandwidth Product
Output Capacitance
Test Condition
I
C
= -10mA, I
B
=0
Min.
-45
-25
I
C
= -0.1mA, V
BE
=0
-50
-30
I
E
= -10碌A(chǔ), I
C
=0
V
CE
= -45V, V
BE
=0
V
CE
= -25V, V
BE
=0
V
CE
= -1V, I
C
= -100mA
V
CE
= -1V, I
C
= -300mA
I
C
= -500mA, I
B
= -50mA
V
CE
= -1V, I
C
= -300mA
V
CE
= -5V, I
C
= -10mA, f=20MHz
V
CB
= -10V, I
E
=0, f=1MHz
100
12
100
40
-5
-2
-2
-100
-100
630
-0.7
-1.2
V
V
MHz
pF
V
V
V
nA
nA
Typ.
Max.
Units
V
V
BV
CES
BV
EBO
I
CES
h
FE1
h
FE2
V
CE
(sat)
V
BE
(on)
f
T
C
ob
h
FE
Classification
Classification
h
FE1
h
FE2
16
100 ~ 250
60-
25
160 ~ 400
100-
40
250 ~ 630
170-
漏2002 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. B1, August 2002

BC32825 產(chǎn)品屬性

  • 2,000

  • 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

  • 晶體管(BJT) - 單路

  • -

  • PNP

  • 800mA

  • 25V

  • 700mV @ 50mA，500mA

  • 100nA

  • 160 @ 100mA，1V

  • 625mW

  • 100MHz

  • 通孔

  • TO-226-3、TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)主體

  • TO-92-3

  • 散裝

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