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BC308 Datasheet

  • BC308

  • PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

  • 5頁(yè)

  • FAIRCHILD

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BC307/308/309
BC307/308/309
Switching and Amplifier Applications
鈥?Low Noise: BC309
1
TO-92
1. Collector 2. Base 3. Emitter
PNP Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
a
=25擄C unless otherwise noted
Symbol
V
CES
Parameter
Collector-Emitter Voltage
: BC307
: BC308/309
Collector-Emitter Voltage
: BC307
: BC308/309
Emitter-Base Voltage
Collector Current (DC)
Collector Power Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature
Value
-50
-30
-45
-25
-5
-100
500
150
-55 ~ 150
Units
V
V
V
V
V
mA
mW
擄C
擄C
V
CEO
V
EBO
I
C
P
C
T
J
T
STG
漏2002 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A2, August 2002

BC308 產(chǎn)品屬性

  • 2,000

  • 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

  • 晶體管(BJT) - 單路

  • -

  • PNP

  • 100mA

  • 25V

  • 500mV @ 5mA，100mA

  • 15nA

  • 120 @ 2mA，5V

  • 500mW

  • 130MHz

  • 通孔

  • TO-226-3、TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)主體

  • TO-92-3

  • 散裝

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