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BC174B Datasheet

  • BC174B

  • TRANSISTOR | BJT | NPN | 64V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-92

  • 4頁(yè)

  • ETC

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Continental Device India Limited
An IS/ISO 9002 and IECQ Certified Manufacturer
IS/ISO 9002
Lic# QSC/L- 000019.2
NPN SILICON PLANAR TRANSISTORS
BC171 , A, B
BC172, A, B, C
BC174, A, B
TO-92
Plastic Package
C
BE
Amplifier Transistors
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25潞C unless specified otherwise)
DESCRIPTION
Collector Emitter Voltage
Collector Base Voltage
Emitter Base Voltage
Collector Current Continuous
Total Device Dissipation @ Ta=25潞C
Derate Above 25潞C
Total Device Dissipation @ Tc=25潞C
Derate Above 25潞C
Operating And Storage Junction
Temperature Range
THERMAL RESISTANCE
Junction to ambient
Junction to case
SYMBOL
V
CEO
V
CBO
V
EBO
I
C
P
D
P
D
T
j
, T
stg
BC174 BC171
65
80
45
50
6
100
350
2.8
1.0
8.0
-55 to +150
BC172
25
30
UNIT
V
V
V
mA
mW
mW/潞C
W
mW/潞C
潞C
R
th(j-a)
R
th(j-c)
357
125
潞C/W
潞C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25潞C unless specified otherwise)
DESCRIPTION
SYMBOL TEST CONDITION
MIN
Collector Emitter Breakdown
Voltage
BC174
BC171
BC172
Emitter Base Breakdown
Voltage
ALL
Collector Cut off Current
BC174
BC171
BC172
I
CES
V
CE
=70V, V
BE
= 0
V
CE
=50V, V
BE
= 0
V
CE
=35V, V
BE
= 0
V
CE
=30V, V
BE
= 0,
Ta= 125潞C
Continental Device India Limited
VALUE
TYP
MAX
UNIT
BV
CEO
I
C
=2mA,I
B
=0
65
45
25
V
V
V
BV
EBO
I
E
=100碌A(chǔ), I
C
=0
6
15
15
15
4
V
n螒
n螒
n螒
碌A(chǔ)
Data Sheet
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