BAS70 ...-04 ...-05 ...-06
Schottky-Diodes
Surface mount Schottky-Barrier Single-/ Double-Diodes
Schottky-Barrier Einzel-/ Doppel-Dioden f眉r die Oberfl盲chenmontage
Version 2004-04-09
Power dissipation
Verlustleistung
2.9
鹵0.1
0.4
3
310 mW
40 V
SOT-23
(TO-236)
0.01 g
1.1
2.5
max
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
1.3
鹵0.1
Type
Code
1
2
Plastic case
Kunststoffgeh盲use
Weight approx. 鈥?Gewicht ca.
1.9
Dimensions / Ma脽e in mm
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
Maximum ratings (T
A
= 25
/
C)
per diode / pro Diode
Power dissipation 鈥?Verlustleistung
Max. average forward current (dc)
Dauergrenzstrom
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
Peak forward surge current t
p
#
1 s
Sto脽strom-Grenzwert
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
Junction temperature 鈥?Sperrschichttemperatur
Storage temperature 鈥?Lagerungstemperatur
P
tot
I
FAV
I
FRM
I
FSM
V
RRM
T
j
T
S
Grenzwerte (T
A
= 25
/
C)
BAS70-series
310 mW
1
)
200 mA
1
)
300 mA
1
)
500 mA
70 V
150
/
C
- 55鈥? 150
/
C
Characteristics (T
j
= 25
/
C)
Forward voltage - Durchla脽spannung
2
)
Leakage current - Sperrstrom
2
)
I
F
= 1 mA
I
F
= 15 mA
V
R
= 50 V
V
F
V
F
I
R
Kennwerte (T
j
= 25
/
C)
< 410 mV
< 1000 mV
< 100 nA
) Mounted on P.C. board with 3 mm
2
copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm
2
Kupferbelag (L枚tpad) an jedem Anschlu脽
2
) Tested with pulses t
p
= 300
:
s, duty cycle
#
2% 鈥?Gemessen mit Impulsen t
p
= 300
:
s, Schaltverh盲ltnis
#
2%
1
1
1
2
