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BAS70-06 Datasheet

  • BAS70-06

  • SILICON PLANAR DUAL SCHOTTKY BARRIER DIODES

  • 1頁

  • ZETEX

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SOT23 SILICON PLANAR DUAL
SCHOTTKY BARRIER DIODES
ISSUE 3 - JULY 1995
1
7
1
BAS70-04
BAS70-05
BAS70-06
1
.
1
3
2
3
2
2
3
2
3
SOT23
SERIES PAIR
Device Type: BAS70-04
Partmarking Detail: 2Z
COMMON CATHODE
Device Type: BAS70-05
Partmarking Detail: 2Z5
COMMON ANODE
Device Type: BAS70-06
Partmarking Detail: 1Z
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
Power Dissipation at T
amb
=25擄C
Operating and Storage Temperature Range
SYMBOL
P
tot
T
j
:T
stg
VALUE
330
-55 to +150
UNIT
mW
擄C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25擄C unless otherwise stated).
PARAMETER
Breakdown Voltage
Reverse Leakage Current
Forward Voltage
Forward Current
Capacitance
Effective Minority Lifetime
(1)
(1) Sample Test
For typical characteristics graphs see ZC2800E datasheet.
SYMBOL
V
BR
I
R
V
F
I
F
C
T
蟿
MIN.
70
MAX.
UNIT
V
CONDITIONS.
I
R
=10
碌
A
V
R
=50V
I
F
=1mA
V
F
=1V
f=1MHz, V
R
=0
f=54MHz, I
pk
= 20mA
(Krakauer Test Method)
200
410
15
2.0
100
nA
mV
mA
pF
ps
3-3

BAS70-06 產(chǎn)品屬性

  • Taiwan Semiconductor

  • 肖特基（二極管與整流器）

  • Schottky Diodes

  • 70 V

  • 0.07 A

  • 100 A

  • Dual Common Anode

  • 5 ns

  • 1 V at 0.15 A

  • 0.1 uA

  • - 55 C to + 125 C

  • SMD/SMT

  • SOT-23

  • Reel

  • 3000

  • BAS70-06 RF

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