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2SK2706 Datasheet

  • 2SK2706

  • Sanken electric [MOSFET]

  • SANKEN   SANKEN

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上傳產(chǎn)品規(guī)格書

PDF預(yù)覽

2SK2706
Absolute Maximum Ratings
Symbol
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D (pulse)
*
1
P
D
E
AS
*
2
I
AS
Tch
Tstg
Ratings
450
鹵30
鹵18
鹵72
85 (Tc = 25潞C)
700
18
150
鈥?5 to +150
(Ta = 25潞C)
External dimensions 2 ...... FM100
Electrical Characteristics
Symbol
V
(BR) DSS
I
GSS
I
DSS
A
A
W
mJ
A
潞C
潞C
V
TH
Re
(yfs)
R
DS (on)
Ciss
Coss
Crss
t
d (on)
t
r
t
d (off)
t
f
V
SD
2.0
10
3.0
15
0.24
2500
500
260
40
60
170
85
1.0
1.5
0.30
min
450
Ratings
typ
max
鹵100
100
4.0
Unit
V
nA
碌A(chǔ)
V
S
鈩?/div>
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
I
SD
= 18A, V
GS
= 0V
I
D
= 9A, V
DD
= 200V,
R
L
= 22鈩? V
GS
= 10V,
See Figure 2 on Page 5.
(Ta = 25潞C)
Unit
V
V
Conditions
I
D
= 100碌A(chǔ), V
GS
= 0V
V
GS
=
鹵30V
V
DS
= 450V, V
GS
= 0V
V
DS
= 10V, I
D
= 1mA
V
DS
= 20V, I
D
= 9A
V
GS
= 10V, I
D
= 9A
V
DS
= 10V, f = 1.0MHz,
V
GS
= 0V
duty cycle 1%
W
*
1: P
DD
=100碌s,L = 4mH, I
L
= 18A,
2: V
30V,
*
See Figure 1 on Page 5.
unclamped, R
G
= 50鈩?
V
DS
鈥?I
D
Characteristics
18
16
14
12
10V
5V
18
16
14
V
GS
鈥?I
D
Characteristics
0.3
V
DS
= 20V
I
D
鈥?R
DS (ON)
Characteristics
V
GS
= 10V
I
D
(A)
I
D
(A)
10
8
6
4
2
0
0
5
10
V
GS
= 4V
15
20
4.5V
10
8
6
4
2
0
0
2
4
T
C
= 鈥?5潞C
25潞C
125潞C
6
8
R
DS (ON)
(鈩?
12
0.2
0.1
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
V
DS
(V)
V
GS
(V)
I
D
(A)
I
D
鈥?Re
(yfs)
Characteristics
30
V
DS
= 20V
10
T
C
= 鈥?5潞C
25潞C
125潞C
8
10
V
GS
鈥?V
DS
Characteristics
0.7
0.6
T
C
鈥?R
DS (ON)
Characteristics
I
D
= 9A
V
GS
= 10V
V
DS
(V)
5
6
I
D
= 18A
4
2
I
D
= 9A
R
DS (ON)
(鈩?
20
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
Re
(yfs)
(S)
1
0.5
0.3
0.05 0.1
0
0.5 1
5
10 18
4
5
10
0
鈥?0
0
50
100
150
I
D
(A)
V
GS
(V)
Tc (潞C)
V
DS
鈥?Capacitance Characteristics
10000
5000
V
GS
= 0V
f = 1MHz
Ciss
18
16
14
12
V
SD
鈥?I
DR
Characteristics
100
Safe Operating Area
50
I
D
(pulse) max
I
D
max
(O
N)
(Tc = 25潞C)
10
0
碌
s
Ta 鈥?P
D
Characteristics
90
80
70
W
Capacitance (pF)
LIM
ITE
D
1m
10
R
D
S
I
D
(A)
10
8
6
V
GS
= 0V
5V,10V
5
1000
500
Coss
Crss
100
0
10
20
30
40
50
OP
s(
P
D
(W)
I
DR
(A)
DC
10
s
60
50
40
30
20
10
ith
m
in
fin
ER
1s
ite
AT
ho
t)
he
IO
sin
at
1
0.5
N
k
4
2
0
0
0.5
1.0
1.5
Without heatsink
0
50
100
150
0.1
3
5
10
50 100
500
0
V
DS
(V)
V
SD
(V)
V
DS
(V)
Ta (潞C)
34

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  • 型號
    版本
    描述
    廠商
    下載
  • 英文版
    TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 18V V(BR)DSS | 600NA I(DSS)
    ETC
  • 英文版
    GENERAL PURPOSE AND IMPEDANCE CONVERTER AND CONDENSER MICROP...
    Toshiba
  • 英文版
    AUDIO FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATIONS
    Toshiba
  • 英文版
    FM TUNER APPLICATIONS VHF BAND AMPLIFIER APPLICATIONS
    Toshiba
  • 英文版
    FM TUNER APPLICATIONS VHF BAND AMPLIFIER APPLICATIONS
    Toshiba
  • 英文版
    N-Channel Junction Silicon FET
    Sanyo
  • 英文版
    Silicon NPN Triple Diffused
    hitachi
  • 英文版
    Silicon N-Channel MOS FET
    HITACHI
  • 英文版
    Silicon N-Channel MOS FET
    HITACHI [H...
  • 英文版
    Silicon N-Channel MOS FET
    HITACHI
  • 英文版
    Silicon N-Channel MOS FET
    HITACHI [H...
  • 英文版
    Silicon N-Channel MOS FET
    HITACHI
  • 英文版
    Silicon N-Channel MOS FET
    HITACHI [H...
  • 英文版
    Silicon NPN Triple Diffused
    hitachi
  • 英文版
    N-Channel Junction Silicon FET
    Sanyo
  • 英文版
    N-Channel Junction Silicon FET
    Sanyo
  • 英文版
    SILICON N-CHANNEL ENHANCEMENT MOSFET
    HITACHI
  • 英文版
    SILICON N-CHANNEL ENHANCEMENT MOSFET
    HITACHI [H...
  • 英文版
    SILICON N-CHANNEL ENHANCEMENT MOSFET
    HITACHI
  • 英文版
    SILICON N-CHANNEL ENHANCEMENT MOSFET
    HITACHI [H...

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