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2SD1992AR Datasheet

  • 2SD1992AR

  • TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SC-71

  • 4頁(yè)

  • ETC

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Transistors
2SD1992A
Silicon NPN epitaxial planer type
Unit: mm
For general amplification
Complementary to 2SB1321A
I
Features
鈥?/div>
Low collector to emitter saturation voltage V
CE(sat)
鈥?/div>
Allowing supply with the radial taping
0.45
鈭?.05
+0.1
6.9鹵0.1
0.15
0.7
4.0
1.05 2.5鹵0.1
(1.45)
鹵0.05
0.8
0.65 max.
1.0
I
Absolute Maximum Ratings
T
a
=
25擄C
Parameter
Collector to base voltage
Collector to emitter voltage
Emitter to base voltage
Peak collector current
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
CP
I
C
P
C
T
j
T
stg
Rating
60
50
7
1
500
600
150
鈭?5
to
+150
Unit
V
V
V
A
mA
mW
擄C
擄C
1
2
3
0.45
鈭?.05
2.5鹵0.5
2.5鹵0.5
+0.1
Note) In addition to the
lead type shown in
the upper figure,
the type as shown
in the lower figure
is also available.
1: Emitter
2: Collector
3: Base
MT1 Type Package
1.2鹵0.1
0.65
max.
0.45
+
0.1
鈭?/div>
0.05
2.5鹵0.1
(HW Type)
I
Electrical Characteristics
T
a
=
25擄C
鹵
3擄C
Parameter
Collector cutoff current
Symbol
I
CBO
I
CEO
Collector to base voltage
Collector to emitter voltage
Emitter to base voltage
Forward current transfer ratio
Collector to emitter saturation voltage
*1
Transition frequency
Collector output capacitance
Note) *1: Pulse measurement
*2: Rank classification
Rank
h
FE1
Q
85 to 170
R
120 to 240
S
170 to 340
No-rank
85 to 340
V
CBO
V
CEO
V
EBO
h
FE1 *2
h
FE2 *1
V
CE(sat)
f
T
C
ob
Conditions
V
CB
=
20 V, I
E
=
0
V
CE
=
20 V, I
B
=
0
I
C
=
10
碌A(chǔ),
I
E
=
0
I
C
=
2 mA, I
B
=
0
I
E
=
10
碌A(chǔ),
I
C
=
0
V
CE
=
10 V, I
C
=
10 mA
V
CE
=
10 V, I
C
=
500 mA
I
C
=
300 mA, I
B
=
30 mA
V
CB
=
10 V, I
E
= 鈭?0
mA, f
=
200 MHz
V
CB
=
10 V, I
E
= 0,
f
=
1 MHz
60
50
7
85
40
90
0.35
200
6
15
0.6
V
MHz
pF
340
Min
Typ
Max
0.1
1
Unit
碌A(chǔ)
碌A(chǔ)
V
V
V
Product of no-rank is not classified and have no indication for rank.
14.5鹵0.5
0.85
3.5鹵0.1
0.8
1

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  • 型號(hào)
    版本
    描述
    廠商
    下載
  • 英文版
    isc Silicon NPN Power Transistor
    ISC [Incha...
  • 英文版
    SILICON NPN DEFFUSED JUNCTION TRANSISTOR
    ETC
  • 英文版
    SILICON NPN DEFFUSED JUNCTION TRANSISTOR
    ETC [ETC]
  • 英文版
    TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-3
    ETC
  • 英文版
    ETC [2SD186]
    ETC
  • 英文版
    Silicon NPN Power Transistors
    SAVANTIC [Savan...
  • 英文版
    Silicon NPN Power Transistors
    ISC [Incha...
  • 英文版
    NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR POWER MINI MOLD
    NEC
  • 英文版
    NPN Silicon Epitaxial Transistor
    KEXIN [Gua...
  • 英文版
    NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR POWER MINI MOLD
    NEC [NEC]
  • 英文版
    NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR POWER MINI MOLD
    NEC
  • 英文版
    NPN Silicon Epitaxial Transistor
    KEXIN [Gua...
  • 英文版
    NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR POWER MINI MOLD
    NEC [NEC]
  • 英文版
    NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR POWER MINI MOLD
    NEC
  • 英文版
    Small Flat Package High Breakdown Voltage Excellent DC Cur...
    金譽(yù)
  • 英文版
    NPN Silicon Epitaxia
    KEXIN [Gua...
  • 英文版
    NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR POWER MINI MOLD
    NEC [NEC]
  • 英文版
    NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR POWER MINI MOLD
    NEC
  • 英文版
    NPN Silicon Epitaxial Transistor
    KEXIN [Gua...
  • 英文版
    NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR POWER MINI MOLD
    NEC [NEC]

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