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2SD1615A Datasheet

  • 2SD1615A

  • NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTORS POWER MINI MOLD

  • 52.29KB

  • 4頁

  • NEC   NEC

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DATA SHEET
SILICON TRANSISTORS
2SD1615, 2SD1615A
NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTORS
POWER MINI MOLD
DESCRIPTION
2SD1615, 1615A are designed for audio frequency power amplifier and switching application, especially
in Hybrid Integrated Circuits.
FEATURES
鈥?World Standard Miniature Package
鈥?Low V
CE (sat)
V
CE(sat)
= 0.15 V
鈥?Complement to 2SB1115, 2SD1115A
PACKAGE DIMENSIONS
in millimeters
4.5 鹵 0.1
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Maximum Voltages and Currents (T
A
= 25 藲C) 2SD1615 2SD1615A
Collector to Base Voltage
V
CBO
60
120
Collector to Emitter Voltage
V
CEO
50
60
Emitter to Base Voltage
V
EBO
6
Collector Current (DC)
I
C
1
Collector Current (Pulse)*
I
C
2
Maximum Power Dissipation
Total Power Dissipation
at 25 藲C Ambient Temperature** P
T
2.0
Maximum Temperatures
Junction Temperature
T
j
150
鈥?5 to +150
Storage Temperature Range
T
stg
*
PW
鈮?/div>
10 ms, Duty Cycle
鈮?/div>
50 %
**
When mounted on ceramic substrate of 16 cm
2
0.7 mm
V
V
A
A
A
W
藲C
藲C
1.6 鹵 0.2
4.0 鹵 0.25
1.5 鹵 0.1
0.8 MIN.
E
0.42
鹵 0.06
C
B
0.42 鹵 0.06
1.5
0.47
鹵 0.06
3.0
1. Emitter
2. Collector
3. Base
0.03
0.41
+ 0.05
鈥?/div>
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
A
= 25 藲C)
CHARACTERISTIC
Collector Cutoff Current
Emitter Cutoff Current
DC Current Gain
DC Current Gain
Collector Saturation Voltage
Base Saturation Voltage
Base to Emitter Voltage
Gain Bandwidth Product
SYMBOL
I
CBO
I
EBO
h
FE1
***
h
FE2
***
V
CE(sat)
***
V
BE(sat)
***
V
BE
***
f
T
600
80
160
135
135
81
270
0.15
0.9
0.3
1.2
700
V
V
mV
MHz
290
MIN.
TYP.
MAX. UNIT
100
100
100
600
400
nA
nA
nA
2SD1615
2SD1615A
2SC1615
2SD1615A
V
CE
= 2.0 V, I
C
= 1.0 A
I
C
= 1.0 A, I
B
= 50 mA
I
C
= 1.0 A, I
B
= 50 mA
V
CE
= 2.0 V, I
C
= 50 mA
V
CE
= 2.0 V, I
E
= 鈥?00 mA
TEST CONDITIONS
V
CB
= 60 V, I
E
= 0
V
CB
= 120 V, I
E
= 0
V
CE
= 2.0 V, I
C
= 100 mA
V
EB
= 6.0 V, I
C
= 0
Output Capacitance
C
ob
19
pF
V
CB
= 10 V, I
E
= 0, f = 1.0 MHz
***
Pulsed: PW
鈮?/div>
350
s, Duty Cycle
鈮?/div>
2 %
h
FE
Classification
MARKING
h
FE
Document No. D10198EJ3V0DSD0 (3rd edition)
(Previous No. TC-5810A)
Date Published June 1995 P
Printed in Japan
2SD1615
2SD1615A
GM
GQ
135 to 270
GL
GP
200 to 400
GK
300 to 600
2.5 鹵 0.1
1985

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    isc Silicon NPN Power Transistor
    ISC [Incha...
  • 英文版
    SILICON NPN DEFFUSED JUNCTION TRANSISTOR
    ETC
  • 英文版
    SILICON NPN DEFFUSED JUNCTION TRANSISTOR
    ETC [ETC]
  • 英文版
    TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-3
    ETC
  • 英文版
    ETC [2SD186]
    ETC
  • 英文版
    Silicon NPN Power Transistors
    SAVANTIC [Savan...
  • 英文版
    Silicon NPN Power Transistors
    ISC [Incha...
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    NEC [NEC]
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