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2SD1205AQ Datasheet

  • 2SD1205AQ

  • TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 50V V(BR)CEO | 500MA I...

  • 3頁(yè)

  • ETC

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Transistor
2SD1205, 2SD1205A
Silicon NPN epitaxial planer type darlington
For low-frequency amplification
6.9鹵0.1
0.4
Unit: mm
2.5鹵0.1
1.0
1.0
2.4鹵0.2 2.0鹵0.2 3.5鹵0.1
s
Features
q
1.5
1.5 R0.9
R0.9
q
0.85
0.55鹵0.1
0.45鹵0.05
1.25鹵0.05
s
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Collector to
base voltage
Collector to
2SD1205
2SD1205A
2SD1205
V
CEO
V
EBO
I
CP
I
C
P
C
T
j
T
stg
Symbol
V
CBO
(Ta=25藲C)
3
2
1
Ratings
30
60
25
50
5
750
500
400
150
鈥?5 ~ +150
Unit
V
1:Base
2:Collector
3:Emitter
2.5
2.5
emitter voltage 2SD1205A
Emitter to base voltage
Peak collector current
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
V
V
mA
mA
mW
藲C
藲C
EIAJ:SC鈥?1
M Type Mold Package
Internal Connection
C
B
鈮?00鈩?/div>
E
s
Electrical Characteristics
Parameter
Collector cutoff current
Emitter cutoff current
Collector to base
voltage
Collector to emitter
voltage
2SD1205
2SD1205A
2SD1205
2SD1205A
(Ta=25藲C)
Symbol
I
CBO
I
EBO
V
CBO
V
CEO
V
EBO
h
FE*1
V
CE(sat)
V
BE(sat)
f
T
Conditions
V
CB
= 25V, I
E
= 0
V
EB
= 4V, I
C
= 0
I
C
= 100碌A(chǔ), I
E
= 0
I
C
= 1mA, I
B
= 0
I
E
= 100碌A(chǔ), I
C
= 0
V
CE
= 10V, I
C
= 500mA
*2
I
C
= 500mA, I
B
= 0.5mA
*2
I
C
= 500mA, I
B
= 0.5mA
*2
V
CB
= 10V, I
E
= 鈥?0mA, f = 200MHz
150
*2
min
typ
max
100
100
4.1鹵0.2
q
Forward current transfer ratio h
FE
is designed high, which is ap-
propriate to the driver circuit of motors and printer bammer: h
FE
= 4000 to 2000.
A shunt resistor is omitted from the driver.
M type package allowing easy automatic and manual insertion as
well as stand-alone fixing to the printed circuit board.
1.0鹵0.1
R
0.
4.5鹵0.1
7
Unit
nA
nA
V
30
60
25
50
5
4000
20000
2.5
3
V
V
Emitter to base voltage
Forward current transfer ratio
Collector to emitter saturation voltage
Base to emitter saturation voltage
Transition frequency
*1
h
FE
Rank classification
V
V
MHz
Pulse measurement
Rank
h
FE
Q
R
4000 ~ 10000 8000 ~ 20000
1

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  • 型號(hào)
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  • 英文版
    isc Silicon NPN Power Transistor
    ISC [Incha...
  • 英文版
    SILICON NPN DEFFUSED JUNCTION TRANSISTOR
    ETC
  • 英文版
    SILICON NPN DEFFUSED JUNCTION TRANSISTOR
    ETC [ETC]
  • 英文版
    TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-3
    ETC
  • 英文版
    ETC [2SD186]
    ETC
  • 英文版
    Silicon NPN Power Transistors
    SAVANTIC [Savan...
  • 英文版
    Silicon NPN Power Transistors
    ISC [Incha...
  • 英文版
    NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR POWER MINI MOLD
    NEC
  • 英文版
    NPN Silicon Epitaxial Transistor
    KEXIN [Gua...
  • 英文版
    NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR POWER MINI MOLD
    NEC [NEC]
  • 英文版
    NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR POWER MINI MOLD
    NEC
  • 英文版
    NPN Silicon Epitaxial Transistor
    KEXIN [Gua...
  • 英文版
    NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR POWER MINI MOLD
    NEC [NEC]
  • 英文版
    NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR POWER MINI MOLD
    NEC
  • 英文版
    Small Flat Package High Breakdown Voltage Excellent DC Cur...
    金譽(yù)
  • 英文版
    NPN Silicon Epitaxia
    KEXIN [Gua...
  • 英文版
    NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR POWER MINI MOLD
    NEC [NEC]
  • 英文版
    NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR POWER MINI MOLD
    NEC
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    NPN Silicon Epitaxial Transistor
    KEXIN [Gua...
  • 英文版
    NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR POWER MINI MOLD
    NEC [NEC]

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