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2SC3357 Datasheet

  • 2SC3357

  • NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR POWER MINI MOLD

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DATA SHEET
SILICON TRANSISTOR
2SC3357
NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
POWER MINI MOLD
DESCRIPTION
The 2SC3357 is an NPN silicon epitaxial transistor designed for
low noise amplifier at VHF, UHF and CATV band.
It has large dynamic range and good current characteristic.
4.5鹵0.1
PACKAGE DIMENSIONS
(Unit: mm)
FEATURES
鈥?Low Noise and High Gain
I
C
= 7 mA, f = 1.0 GHz
NF = 1.8 dB TYP., G
a
= 9.0 dB TYP. @V
CE
= 10 V,
I
C
= 40 mA, f = 1.0 GHz
鈥?Large P
T
in Small Package
P
T
: 2 W with 16 cm
2
脳
0.7 mm Ceramic Substrate.
NF = 1.1 dB TYP., G
a
= 8.0 dB TYP. @V
CE
= 10 V,
0.8 MIN.
E
0.42
鹵0.06
1.6鹵0.2
1.5鹵0.1
C
B
0.42鹵0.06
1.5
0.47
鹵0.06
3.0
0.41
+0.05
鈭?.03
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
= 25
擄C)
Collector to Base Voltage
Collector to Emitter Voltage
Emitter to Base Voltage
Collector Current
Total Power Dissipation
Thermal Resistance
Junction Temperature
Storage Temperature
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
T
*
R
th(j-a)
*
T
j
T
stg
2
20
12
3.0
100
1.2
62.5
150
鈭?5
to +150
V
V
V
mA
W
擄C/W
擄C
擄C
Term, Connection
E : Emitter
C : Collector (Fin)
B : Base
(SOT-89)
* mounted on 16 cm
脳
0.7 mm Ceramic Substrate
Document No. P10357EJ4V1DS00 (4th edition)
Date Published March 1997 N
Printed in Japan
4.0鹵0.25
2.5鹵0.1
漏
1985

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