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2SA1225O Datasheet

  • 2SA1225O

  • TRANSISTOR | BJT | PNP | 160V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-251A...

  • 4頁

  • ETC

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2SA1225
TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process)
2SA1225
Power Amplifier Applications
Driver Stage Amplifier Applications
路
路
High transition frequency: f
T
= 100 MHz (typ.)
Complementary to 2SC2983
Unit: mm
Maximum Ratings
(Ta = 25擄C)
Characteristics
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Base current
Collector power
dissipation
Junction temperature
Storage temperature range
Ta = 25擄C
Tc = 25擄C
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
j
T
stg
Rating
鈭?60
鈭?60
鈭?
鈭?.5
鈭?.3
1.0
15
150
鈭?5
to 150
Unit
V
V
V
A
A
W
擄C
擄C
JEDEC
JEITA
TOSHIBA
鈥?/div>
鈥?/div>
2-7B1A
Weight: 0.36 g (typ.)
JEDEC
JEITA
TOSHIBA
鈥?/div>
鈥?/div>
2-7J1A
Weight: 0.36 g (typ.)
1
2002-07-23

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