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2SA1018Q Datasheet

  • 2SA1018Q

  • TRANSISTOR | BJT | PNP | 200V V(BR)CEO | 70MA I(C) | TO-92

  • 3頁

  • ETC

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Transistor
2SA1018
Silicon PNP epitaxial planer type
For general amplification
Complementary to 2SC1473
5.0鹵0.2
Unit: mm
4.0鹵0.2
q
High collector to emitter voltage V
CEO
.
s
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Collector to base voltage
Collector to emitter voltage
Emitter to base voltage
Peak collector current
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
CP
I
C
P
C
T
j
T
stg
(Ta=25藲C)
Ratings
鈥?50
鈥?00
鈥?
鈥?00
鈥?0
750
150
鈥?5 ~ +150
Unit
V
V
V
mA
mA
mW
藲C
藲C
13.5鹵0.5
5.1鹵0.2
s
Features
0.45
鈥?.1
1.27
+0.2
0.45
鈥?.1
1.27
+0.2
1 2 3
2.3鹵0.2
2.54鹵0.15
1:Emitter
2:Collector
3:Base
JEDEC:TO鈥?2
EIAJ:SC鈥?3A
s
Electrical Characteristics
Parameter
Collector cutoff current
Collector to emitter voltage
Emitter to base voltage
Forward current transfer ratio
Collector to emitter saturation voltage
Transition frequency
Collector output capacitance
(Ta=25藲C)
Symbol
I
CEO
V
CEO
V
EBO
h
FE*
V
CE(sat)
f
T
C
ob
Conditions
V
CE
= 鈥?20V, I
B
= 0, Ta = 60藲C
I
C
= 鈥?00碌A(chǔ), I
B
= 0
I
E
= 鈥?碌A(chǔ), I
C
= 0
V
CE
= 鈥?0V, I
C
= 鈥?mA
I
C
= 鈥?0mA, I
B
= 鈥?mA
V
CB
= 鈥?0V, I
E
= 10mA, f = 200MHz
V
CB
= 鈥?0V, I
E
= 0, f= 1MHz
50
10
鈥?00
鈥?
60
220
鈥?.5
V
MHz
pF
min
typ
max
鈥?
Unit
碌A(chǔ)
V
V
*
h
FE
Rank classification
Q
60 ~ 150
R
100 ~ 220
h
FE
Rank
1

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