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2N6989JANTXV Datasheet

  • 2N6989JANTXV

  • MULTIPLE NPN SILICON DUAL IN-LINE AND FLATPACK SWITCHING TRA...

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  • 2頁

  • MICROSEMI

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TECHNICAL DATA
MULTIPLE (QUAD) NPN SILICON DUAL IN-LINE AND FLATPACK
SWITCHING TRANSISTOR
Qualified per MIL-PRF-19500/559
Devices
2N6989
2N6989U
2N6990
Qualified Level
JAN
JANTX
JANTXV
JANS
MAXIMUM RATINGS
(1)
Ratings
Collector-Emitter Voltage
Collector-Base Voltage
(3)
Emitter-Base Voltage
(3)
Collector Current
(3)
Total Power Dissipation
(3)
Symbol
V
CEO
V
CBO
V
EBO
I
C
P
D
Value
50
75
6.0
800
1.5
1.0
0.4
-65 to +200
Units
Vdc
Vdc
Vdc
mAdc
W
20 PIN LEADLESS*
0
TO- 116*
2N6989
T
op
,
T
stg
1) Maximum voltage between transistors shall be
鈮?/div>
500 Vdc
2) Derate linearly 8.57 mW/
0
C above T
A
= +25
0
C for 2N6989 and 2N6989U
Derate linearly 2.286 mW/
0
C above T
A
= +25
0
C for 2N6990
Ratings apply to total package.
3) Ratings apply to each transistor in the array.
@ T
A
= +25
0
C
2N6989
(2)
2N6989U
(2)
2N6990
(2)
Operating & Storage Junction Temperature Range
C
2N6989U
14 PIN FLAT PACK*
2N6990
*See appendix A for package
outline
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
A
= 25
0
C unless otherwise noted)
Characteristics
Symbol
V
(BR)
CEO
I
CBO
Min.
50
10
10
10
10
Max.
Unit
Vdc
畏Adc
碌A(chǔ)dc
畏Adc
碌A(chǔ)dc
OFF CHARACTERISTICS
Collector-Emitter Breakdown Voltage
I
C
= 10 mAdc
Collector-Base Cutoff Current
V
CB
= 60 Vdc
V
CB
= 75 Vdc; I
c
= 10
碌A(chǔ)dc
Emitter-Base Cutoff Current
V
EB
= 4.0Vdc
V
EB
= 6.0Vdc; I
c
= 10
碌A(chǔ)dc
I
EBO
6 Lake Street, Lawrence, MA 01841
1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803
120101
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  • 型號(hào)
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    廠商
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    SILICON CONTROLLED RECTIFIER 25 AMPS, 25 THRU 800 VOLTS
    CENTRAL
  • 英文版
    25 and 35 Amp RMS SCRs
    IRF
  • 英文版
    25 and 35 Amp RMS SCRs
    KNOX
  • 英文版
    SILICON CONTROLLED RECTIFIER 25 AMPS, 25 THRU 800 VOLTS
    CENTRAL [C...
  • 英文版
    25 and 35 Amp RMS SCRs
    IRF [Inter...
  • 英文版
    25 and 35 Amp RMS SCRs
    KNOX [Knox...
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    25 AND 35 AMP RMS SCRS
    IRF [Inter...
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    CENTRAL
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