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2N5551 Datasheet

  • 2N5551

  • NPN General Purpose Amplifier

  • 12頁

  • FAIRCHILD

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2N5551 / MMBT5551
2N5551
MMBT5551
C
E
C
B
TO-92
E
SOT-23
Mark: 3S
B
NPN General Purpose Amplifier
This device is designed for general purpose high voltage amplifiers
and gas discharge display driving. Sourced from Process 16.
Absolute Maximum Ratings*
Symbol
V
CEO
V
CBO
V
EBO
I
C
T
J
, T
stg
Collector-Base Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current - Continuous
TA = 25擄C unless otherwise noted
Parameter
Collector-Emitter Voltage
Value
160
180
6.0
600
-55 to +150
Units
V
V
V
mA
擄C
Operating and Storage Junction Temperature Range
*
These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.
NOTES:
1)
These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.
2)
These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.
Thermal Characteristics
Symbol
P
D
R
胃JC
R
胃JA
TA = 25擄C unless otherwise noted
Characteristic
Total Device Dissipation
Derate above 25擄C
Thermal Resistance, Junction to Case
Thermal Resistance, Junction to Ambient
2N5551
625
5.0
83.3
200
Max
*MMBT5551
350
2.8
357
Units
mW
mW/擄C
擄C/W
擄C/W
*
Device mounted on FR-4 PCB 1.6" X 1.6" X 0.06."
錚?/div>
2000 Fairchild Semiconductor International
2N5551/MMBT5551 Rev A

2N5551 產(chǎn)品屬性

  • 5,000

  • 分離式半導體產(chǎn)品

  • 晶體管(BJT) - 單路

  • -

  • NPN

  • 600mA

  • 160V

  • 200mV @ 5mA，50mA

  • -

  • 80 @ 10mA，5V

  • 625mW

  • 300MHz

  • 通孔

  • TO-226-3、TO-92-3 標準主體

  • TO-92-3

  • 散裝

  • 2N5551OS

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  • 型號
    版本
    描述
    廠商
    下載
  • 英文版
    TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CEO | 800MA I(C) | TO-5
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CEO | 800MA I(C) | TO-5
  • 英文版
    TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-5
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-5
  • 英文版
    TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-5
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-5
  • 英文版
    TRANSISTOR | BJT | PNP | 4A I(C) | TO-3
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | BJT | PNP | 4A I(C) | TO-3
  • 英文版
    TRANSISTOR | BJT | PNP | 16V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-3
  • 英文版
    TRANSISTOR | BJT | PNP | 30V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-3
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | BJT | PNP | 30V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-3
  • 英文版
    DUAL N CHANNEL JFET LOW NOISE AMPLIFIER
    INTERSIL
  • 英文版
    DUAL N CHANNEL JFET LOW NOISE AMPLIFIER
    INTERSIL [...
  • 英文版
    DUAL N CHANNEL JFET LOW NOISE AMPLIFIER
    INTERSIL
  • 英文版
    DUAL N CHANNEL JFET LOW NOISE AMPLIFIER
    INTERSIL [...
  • 英文版
    DUAL N CHANNEL JFET LOW NOISE AMPLIFIER
    INTERSIL
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    DUAL N CHANNEL JFET LOW NOISE AMPLIFIER
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    INTERSIL
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