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2N4123 Datasheet

  • 2N4123

  • NPN Silicon General Purpose Transistor 625mW

  • 5頁

  • MCC   MCC

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MCC
Features
  omponents
21201 Itasca Street Chatsworth

  !"#
$%    !"#
2N4123
2N4124
NPN Silicon General
Purpose Transistor
625mW
l
Through Hole TO-92 Package
l
Capable of 625mWatts of Power Dissipatio
Pin Configuration
Bottom View
C
B
E
TO-92
Mechanical Data
l
Case: TO-92, Molded Plastic
A
E
l
Marking:
2N4123 --------- 2N4123
2N4124 --------- 2N4124
B
Maximum Ratings @ 25
o
C Unless Otherwise Specified
Charateristic
Symbol Value Unit
Collector-Emitter Voltage 2N4123
30
V
CEO
V
2N4124
25
Collector-Base Voltage 2N4123
40
V
CBO
V
2N4124
30
Emitter-Base Voltage
2N4123
V
EBO
5
V
2N4124
Collector Current(DC)
I
C
200
mA
mW
625
P
d
Power Dissipation@T
A
=25
o
C
5.0 mW/
o
C
W
1.5
P
d
Power Dissipation@T
C
=25
o
C
12 mW/
o
C
Thermal Resistance, Junction to


200
o
C/W
Ambient Air
Thermal Resistance, Junction to


83.3
o
C/W
Case
Operating & Storage Temperature
T
j
, T
STG
-55~150
o
C
D
G
DIMENSIONS
C
DIM
A
B
C
D
E
G
INCHES
MIN
.175
.175
.500
.016
.135
.095
MAX
.185
.185
---
.020
.145
.105
MM
MIN
4.45
4.46
12.7
0.41
3.43
2.42
MAX
4.70
4.70
---
0.63
3.68
2.67
NOTE
www.mccsemi.com

2N4123 產(chǎn)品屬性

  • Fairchild Semiconductor

  • NPN

  • 30 V

  • 5 V

  • 0.2 A

  • 50

  • Single

  • 250 MHz

  • + 150 C

  • Through Hole

  • TO-92

  • 0.2 A

  • - 55 C

  • 625 mW

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