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2N3904 Datasheet

  • 2N3904

  • NPN General Purpose Amplifier

  • 7頁(yè)

  • FAIRCHILD

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2N3904 / MMBT3904 / PZT3904
2N3904
MMBT3904
C
PZT3904
C
E
C
B
E
C
TO-92
E
SOT-23
Mark: 1A
B
SOT-223
B
NPN General Purpose Amplifier
This device is designed as a general purpose amplifier and switch.
The useful dynamic range extends to 100 mA as a switch and to
100 MHz as an amplifier.
Absolute Maximum Ratings*
Symbol
V
CEO
V
CBO
V
EBO
I
C
T
J
, T
stg
Collector-Emitter Voltage
Collector-Base Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current - Continuous
T
A
= 25擄C unless otherwise noted
Parameter
Value
40
60
6.0
200
-55 to +150
Units
V
V
V
mA
擄C
Operating and Storage Junction Temperature Range
*
These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.
NOTES:
1)
These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.
2)
These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.
Thermal Characteristics
Symbol
P
D
R
胃JC
R
胃JA
T
A
= 25擄C unless otherwise noted
Characteristic
Total Device Dissipation
Derate above 25擄C
Thermal Resistance, Junction to Case
Thermal Resistance, Junction to Ambient
2N3904
625
5.0
83.3
200
Max
*MMBT3904
350
2.8
357
**PZT3904
1,000
8.0
125
Units
mW
mW/擄C
擄C/W
擄C/W
*
Device mounted on FR-4 PCB 1.6" X 1.6" X 0.06."
**
Device mounted on FR-4 PCB 36 mm X 18 mm X 1.5 mm; mounting pad for the collector lead min. 6 cm
2
.
錚?/div>
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
2N3904/MMBT3904/PZT3904, Rev A

2N3904 產(chǎn)品屬性

  • 2,500

  • 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

  • 晶體管(BJT) - 單路

  • -

  • NPN

  • 200mA

  • 40V

  • 200mV @ 5mA，50mA

  • -

  • 100 @ 10mA，1V

  • 625mW

  • 270MHz

  • 通孔

  • TO-226-3、TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)主體

  • TO-92-3

  • 散裝

  • 497-2395

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  • 型號(hào)
    版本
    描述
    廠商
    下載
  • 英文版
    TRANSISTOR | BJT | PNP | 40V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-3
  • 英文版
    TRANSISTOR | BJT | PNP | 6V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-24
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | BJT | PNP | 6V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-24
  • 英文版
    TRANSISTOR | BJT | PNP | 10V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-5
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | BJT | PNP | 10V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-5
  • 英文版
    alloy-junction germanium transistors
    ETC
  • 英文版
    alloy-junction germanium transistors
    ETC [ETC]
  • 英文版
    alloy-junction germanium transistors
    ETC
  • 英文版
    alloy-junction germanium transistors
    ETC [ETC]
  • 英文版
    alloy-junction germanium transistors
    ETC
  • 英文版
    alloy-junction germanium transistors
    ETC [ETC]
  • 英文版
    alloy-junction germanium transistors
    ETC
  • 英文版
    alloy-junction germanium transistors
    ETC [ETC]
  • 英文版
    TRANSISTOR | BJT | PNP | 40V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-3
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | BJT | PNP | 40V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-3
  • 英文版
    TRANSISTOR | BJT | NPN | 18V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-98
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | BJT | NPN | 18V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-98
  • 英文版
    TRANSISTOR | BJT | NPN | 18V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-98
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | BJT | NPN | 18V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-98
  • 英文版
    HIGH VOLTAGE NPN SILICON TRANSISTORS
    BOCA

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