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2N3251A Datasheet

  • 2N3251A

  • PNP BIPOLAR TRANSISTOR

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  • 2頁(yè)

  • MICROSEMI

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580 Pleasant St.
Watertown, MA 02172
PH: (617) 926-0404
FAX: (617) 924-1235
2N3251A
Features
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
Meets MIL-S-19500/323
Collector-Base Voltage 60V
Collector Current: 200 mA
Fast Switching 370 nS
60 Volts
200 mAmps
PNP
BIPOLAR
TRANSISTOR
Maximum Ratings
RATING
Collector-Emitter Voltage
Collector-Base Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current
Total Device Dissipation
o
@ T
A
= 25 C
o
Derate above 25 C
Total Device Dissipation
o
@ T
C
= 25 C
o
Derate above 25 C
Operating Temperature Range
Storage Temperature Range
Thermal Resistance, Junction to Ambient
Thermal Resistance, Junction to Case
SYMBOL
V
CEO
V
CBO
V
EBO
I
C
P
D
MAX.
-60
-60
-5.0
-200
0.36
2.4
P
D
1.2
8
-65 to
+175
-65 to
+175
417
146
Watts
o
mW/ C
o
C
o
o
o
UNIT
Vdc
Vdc
Vdc
mAdc
Watts
o
mW/ C
T
J
T
S
R
胃JA
R
胃JC
C
C/W
C/W
Mechanical Outline
Datasheet# MSC0281A 5/19/97

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    ETC
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    alloy-junction germanium transistors
    ETC [ETC]
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    alloy-junction germanium transistors
    ETC
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    ETC [ETC]
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    alloy-junction germanium transistors
    ETC
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    alloy-junction germanium transistors
    ETC [ETC]
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    alloy-junction germanium transistors
    ETC
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    ETC [ETC]
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    TRANSISTOR | BJT | NPN | 35V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-3VAR
    ETC
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    TRANSISTOR | BJT | NPN | 35V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-3VAR
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    TRANSISTOR | BJT | PNP | 40V V(BR)CEO | 50MA I(C)
    ETC
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    TRANSISTOR | BJT | PNP | 40V V(BR)CEO | 50MA I(C)
  • 英文版
    TRANSISTOR | BJT | PNP | 35V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-5
    ETC
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    TRANSISTOR | BJT | PNP | 35V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-5
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    TRANSISTOR | BJT | PNP | 30V V(BR)CEO | 50MA I(C)
    ETC
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    TRANSISTOR | BJT | PNP | 30V V(BR)CEO | 50MA I(C)
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    Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO39 Metal Packa...
    SEME-LAB
  • 英文版
    Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO39 Metal Packa...
    SEME-LAB [...

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