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1N6819R Datasheet

  • 1N6819R

  • LOW LEAKAGE CURRENT SCHOTTKY DIODE

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  • MICROSEMI

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2830 S. Fairview St.
Santa Ana, CA 92704
PH: (714) 979-8220
FAX: (714) 966-5256
1N6819
(MSASC75W45F)
Features
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鈥?/div>
Tungsten schottky barrier
Oxide passivated structure for very low leakage currents
Guard ring protection for increased reverse energy capability
Epitaxial structure minimizes forward voltage drop
Hermetically sealed, low profile ceramic surface mount power package
Low package inductance
鈥?/div>
Very low thermal resistance
鈥?/div>
Available as standard polarity (strap is anode: 1N6819) and reverse
polarity (strap is cathode: 1N6819R)
PRELIMINARY
1N6819R
45 Volts
75 Amps
SYMBOL
V
RRM
V
RWM
V
R
I
F(ave)
dI
F
/dT
I
FSM
I
RRM
T
j
T
stg
胃
JC
MAX.
45
45
45
75
4
500
2
-55 to +150
-55 to +150
0.50
0.65
(MSASC75W45FR)
Maximum Ratings @ 25擄 (unless otherwise specified)
C
DESCRIPTION
Peak Repetitive Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
Average Rectified Forward Current, Tc鈮?125擄
C
derating, forward current, Tc鈮?125擄
C
Nonrepetitive Peak Surge Current, tp= 8.3 ms, half-sinewave
Peak Repetitive Reverse Surge Current, tp= 1碌s, f= 1kHz
Junction Temperature Range
Storage Temperature Range
Thermal Resistance, Junction to Case:
1N6819
1N6819R
LOW LEAKAGE
CURRENT
SCHOTTKY DIODE
UNIT
Volts
Volts
Volts
Amps
Amps/擄
C
Amps
Amp
擄
C
擄
C
擄
C/W
Mechanical Outline
ThinKey鈩?4
Datasheet# MSC1030A

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    廠商
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    GOLD BONDED DIODES
    ETC [ETC]
  • 英文版
    GOLD BONDED DIODES
    ETC [ETC]
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    LOW VOLTAGE DROP SCHOTTKY DIODE
    MICROSEMI
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    LOW VOLTAGE DROP SCHOTTKY DIODE
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