MOS 管由于其導通內阻低、開關速度快等顯著優(yōu)勢，在開關電源領域得到了廣泛的應用。而要充分發(fā)揮 MOS 管的性能，其驅動電路的設計起著至關重要的作用。下面將為大家詳細介紹幾種常用的 MOS 管驅動電路。

電源 IC 直接驅動

電源 IC 直接驅動是一種較為簡單的驅動方式，但在應用過程中需要特別注意幾個關鍵參數(shù)及其影響。首先，要查看電源 IC 手冊中的最大驅動峰值電流，因為不同芯片的驅動能力往往存在差異。其次，需要了解 MOS 管的寄生電容，如 C1、C2 的值。寄生電容越小越好，因為如果 C1、C2 的值較大，MOS 管導通所需的能量就會增多。若電源 IC 沒有足夠大的驅動峰值電流，管子導通的速度就會變慢，從而無法達到預期的效果。

推挽驅動

當電源 IC 的驅動能力不足時，可以采用推挽驅動。這種驅動電路的優(yōu)勢在于能夠提升電流提供能力，快速完成對柵極輸入電容電荷的充電過程。雖然這種拓撲結構會增加導通所需的時間，但可以減少關斷時間，使開關管能夠快速開通，并且避免上升沿出現(xiàn)高頻振蕩。

加速關斷驅動

MOS 管通常遵循慢開快關的原則。在關斷瞬間，驅動電路需要提供一個盡可能低阻抗的通路，以便讓 MOSFET 柵源極間電容電壓能夠快速泄放，確保開關管能夠迅速關斷。為了實現(xiàn)柵源極間電容電壓的快速泄放，常常會在驅動電阻上并聯(lián)一個電阻和一個二極管，如上圖所示，其中 D1 一般采用快恢復二極管。這樣做不僅可以減小關斷時間，還能降低關斷時的損耗。Rg2 的作用是防止關斷時電流過大，避免燒毀電源 IC。

上圖是一個實際應用過的電路，已經(jīng)量產(chǎn)至少上萬臺，具有一定的可靠性和實用性，推薦使用。利用三極管來泄放柵源極間電容電壓是比較常見的做法。如果 Q1 的發(fā)射極沒有電阻，當 PNP 三極管導通時，柵源極間電容會被短接，能夠在極短的時間內將電荷放完，最大程度地減小關斷時的交叉損耗。此外，柵源極間電容上的電荷泄放時電流不經(jīng)過電源 IC，還提高了電路的可靠性。

隔離驅動

為了滿足高端 MOS 管的驅動需求，常常會采用變壓器驅動。其中，R1 的目的是抑制 PCB 板上寄生的電感與 C1 形成 LC 振蕩，C1 則用于隔開直流、通過交流，同時還能防止磁芯飽和。