圖 1 新型 SAB MOSFET 提供了更高級(jí)的電源管理功能，以服務(wù)于 3 V 或更高電壓的超級(jí)電容器。ALD

　　這款先進(jìn)線性器件（ALD）的自動(dòng)平衡（SAB）MOSFET 家族的最新成員針對(duì)備用電源系統(tǒng)、工業(yè)應(yīng)用、可再生能源、不間斷電源和配電箱。它的工作溫度范圍為-40°C 至+85°C。
　　為什么需要超級(jí)電容器自動(dòng)平衡？
　　超電容器，也稱為超級(jí)電容器或超容，是一種高容量設(shè)備，其單位體積或質(zhì)量存儲(chǔ)的能量比電解電容器和電池多 10 到 100 倍。由于其提供幾乎無(wú)限的快速功率循環(huán)，因此常用于需要頻繁充放電循環(huán)的應(yīng)用，而不是長(zhǎng)期緊湊型能量存儲(chǔ)。
　　這些超級(jí)電容器被廣泛用作數(shù)據(jù)中心服務(wù)器、可再生能源、配電箱、交通和電源的備用電源。然而，盡管傳統(tǒng)的超級(jí)電容器電壓等級(jí)為 2.7 V 至 3.0 V，但 3.3 V 超級(jí)電容器現(xiàn)在需求日益增長(zhǎng)，預(yù)計(jì)未來(lái)還將有更高電壓的產(chǎn)品出現(xiàn)。　　將多個(gè)超級(jí)電容器串聯(lián)連接以達(dá)到所需的電壓水平也很常見(jiàn)。因此，如果一個(gè)應(yīng)用需要標(biāo)準(zhǔn)的 12 V 直流供電電壓，可以將四個(gè) 3.3 V 超級(jí)電容器串聯(lián)連接。但是，這里有一個(gè)問(wèn)題。

　　圖 2 電路圖顯示了兩個(gè)超級(jí)電容器堆疊的典型連接。ALD
　　雖然超級(jí)電容器應(yīng)該像理想元件一樣提供純電容，但實(shí)際上它們具有少量寄生電阻，這可以建模為與超級(jí)電容器并聯(lián)的電阻。不可避免地，這種電阻會(huì)導(dǎo)致寄生泄漏電流。
　　此外，當(dāng)多個(gè)超級(jí)電容器串聯(lián)連接時(shí)，每個(gè)電容器都將具有不同的寄生電阻和泄漏電流值。如果這些泄漏電流不平衡，可能會(huì)導(dǎo)致一個(gè)或多個(gè)超級(jí)電容器的電壓失控。這種電壓失控可能會(huì)災(zāi)難性地降低或損壞受影響的超級(jí)電容器。