GAN Epower的集成電路應(yīng)用于電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)器
出處:維庫電子市場(chǎng)網(wǎng) 發(fā)布于:2025-03-19 16:41:06 | 289 次閱讀
在此比較中,三個(gè)最重要的參數(shù)是較高的帶隙,臨界場(chǎng)和電子遷移率。以每厘米為單位的電壓測(cè)量的臨界場(chǎng)決定了雪崩故障的閾值。因此,設(shè)備分解的電壓與漂移區(qū)域的寬度成正比。在GAN的情況下,對(duì)于相同的擊穿電壓,漂移區(qū)域可能比硅小10倍。當(dāng)將這些參數(shù)全部合并時(shí),如果晶體的臨界場(chǎng)高10倍,則可以將電端子靠近10倍。這導(dǎo)致了GAN和Silicon之間的明顯分化因子:中型氮化殼設(shè)備可以建立在平面技術(shù)的基礎(chǔ)上,而這對(duì)硅設(shè)備的成本較高。為了具有競(jìng)爭(zhēng)力,硅設(shè)備是在垂直技術(shù)上制造的,通常在頂部的柵極和源,并在底部排水,從而使實(shí)際上不可能在同一芯片中使用兩個(gè)動(dòng)力設(shè)備。 EPC的Gan-On-Si平面技術(shù)沒有必須垂直構(gòu)建的限制,也沒有圖1所示的集成電路的示意圖橫截面。

在2018年,EPC繼續(xù)沿其集成路徑,并在單個(gè)芯片中引入了GAN IC,將門驅(qū)動(dòng)器與高頻GAN FET相結(jié)合,以提高效率,尺寸降低和降低成本。在2019年,epower階段IC系列產(chǎn)品通過將所有必要的電源系統(tǒng)啟動(dòng)在較高電壓和較高頻率水平的單個(gè)Gan-on-Si集成電路中重新定義了功率轉(zhuǎn)換,超出了硅的范圍。最近,在2021年,將EPC23101與EPC2302 Power Stape芯片組結(jié)合使用。
GAN集成電路整體功率階段 - EPC2152
第一個(gè)Epower階段設(shè)備于2019年推出。EPC2152是單層整合的單芯片驅(qū)動(dòng)器加Gan Fet Half Half Bridge Power級(jí)IC。輸入邏輯接口,級(jí)別移動(dòng),引導(dǎo)帶充電和柵極驅(qū)動(dòng)緩沖電路以及配置為半橋的GAN輸出FET都集成在整體芯片中。這種整合產(chǎn)生了芯片尺度的LGA形式,僅測(cè)量3.85 mm x 2.59 mm x 0.63 mm。半橋拓?fù)渲械膬蓚€(gè)GAN輸出FET設(shè)計(jì)為具有相同的8.5MΩ典型R DS(ON)。 將GAN FET與芯片柵極驅(qū)動(dòng)緩沖液的整合實(shí)際上消除了常見源電感和柵極驅(qū)動(dòng)環(huán)電感的影響。通過促進(jìn)內(nèi)部垂直布局技術(shù)的LGA引腳將功率環(huán)電感最小化。 EPC2152的框圖如圖2所示,參考設(shè)計(jì)EPC9146 BLDC逆變器功能框圖在圖3中給出。

圖2。EPC2152GAN 集成電路框圖。圖片使用了 Bodo的電力系統(tǒng)

圖3。EPC9146BLDC 逆變器功能框圖。圖片使用了 Bodo的電力系統(tǒng)EPC9146帶有EPC2152的運(yùn)動(dòng)驅(qū)動(dòng)參考設(shè)計(jì)
為了證明EPC2152在電動(dòng)機(jī)逆變器中集成電路的功能,EPC發(fā)布了EPC9146參考設(shè)計(jì)。它是一個(gè)三相無刷的(BLDC)電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)板,包含三個(gè)EPC2152單片階段階段,15 a Pk(10.5 a rms)最大輸出電流。除了整體電源階段外,板還包含所有必要的關(guān)鍵功能,以支持完整的電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)逆變器,包括用于管家供應(yīng),電壓和溫度傳感,相位電流傳感和保護(hù)功能的受管制輔助電源。 EPC9146的各種功能塊如圖3所示。此參考設(shè)計(jì)可用于所有應(yīng)用,其中電機(jī)相電流為10 a RMS連續(xù)連續(xù)使用15 a RMS,在有限的時(shí)間內(nèi)高電流操作。GAN IC Power Stage芯片組 - EPC23101與EPC2302結(jié)合沿著進(jìn)一步整合和增加功率密度的路徑,在2021年,EPC引入了一個(gè)結(jié)合了EPC23101的芯片組,一個(gè)高側(cè)GAN與單一集成的半橋柵極驅(qū)動(dòng)器和EPC2302 GAN FET,如圖4所示。
EPC23101是一個(gè)100 V級(jí)的單片組件,它集成了輸入邏輯接口,級(jí)別轉(zhuǎn)換,自舉式充電和GATE驅(qū)動(dòng)緩沖液電路,以及高度的2.6MΩ典型R ds(ON) GAN輸出FET。 EPC2302是100 V伴隨的Lowside,1.4MΩ典型的R DS(ON) GAN FET。通過選擇調(diào)諧電阻R Boot和R DRV,可以將過電壓尖峰控制在軌道上方的+10 V小于+10 V,在硬開關(guān)過渡期間地面–10 V?! PC23101 IC僅需要外部5 V(V DRV)電源。內(nèi)部低端和高端電源V DD和V引導(dǎo)是通過串聯(lián)開關(guān)和同步引導(dǎo)開關(guān)生成的??梢酝ㄟ^將EN PIN連接到V DRV來禁用內(nèi)部電路以減少靜止的功耗。 FET門驅(qū)動(dòng)電壓源自內(nèi)部低側(cè)和高側(cè)電源。全門驅(qū)動(dòng)電壓僅在HS IN和PWM輸入中的LS之后可用于幾個(gè)周期。與EPC2152相比,EPC23101與EPC2302結(jié)合使用,使設(shè)計(jì)人員可以制造出更高的當(dāng)前逆變器。

為了證明EPC23101 IC在電動(dòng)機(jī)逆變器中的功能,EPC發(fā)布了EPC9173參考設(shè)計(jì)。在該板上,三相逆變器的每半橋均包含兩個(gè)EPC23101 IC,其PWM信號(hào)交叉連接,允許插入源分流器讀取電流,并在圖5中顯示了一部分示意圖?! ⊥ㄟ^為低側(cè)開關(guān)使用相同的IC,可以具有平衡的半橋逆變器,并且兩個(gè)開關(guān)相對(duì)于電源地面都可以漂浮。這使得源流的插入更加容易,避免在輸入PWM信號(hào)節(jié)點(diǎn)上彈跳。 EPC9173板包括一個(gè)過電流的檢測(cè)電路,該電路可以用作過度電流或電流函數(shù),具體取決于所需的算法和調(diào)制。

PWM頻率增加和減少時(shí)間減少
GAN集成電路和FET在運(yùn)動(dòng)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中帶來了幾個(gè)優(yōu)勢(shì)。最簡(jiǎn)單的優(yōu)勢(shì)是減小逆變器的大小,這是由于gan fet和ICS的固有較小尺寸與等效的MOSFET所致。但是,為了充分利用新技術(shù),最好以較高的PWM頻率操作電動(dòng)機(jī)并因此減少死時(shí)間[2]。 常規(guī)的硅MOSFET逆變器受高開關(guān)損耗和換向行為的限制,通常不會(huì)在40 kHz PWM頻率以上操作,而死時(shí)間低于200 ns。基于GAN的逆變器在這種意義上不受限制,并且由于電流波的降低而導(dǎo)致歐姆的耗散較低(圖6,[4]),而導(dǎo)致電動(dòng)機(jī)振動(dòng)的扭矩諧波較少[2],因此可以提高電動(dòng)機(jī)的效率[2]。

電動(dòng)機(jī)中L/R時(shí)間常數(shù)較低的應(yīng)用
所有需要高電氣頻率和快速動(dòng)力學(xué)的應(yīng)用,例如無人機(jī)螺旋槳和電動(dòng)自行車內(nèi)電動(dòng)機(jī),都使用非常低的電感(單位數(shù)ωH范圍)電動(dòng)機(jī)。隨著通過更好的材料和更高強(qiáng)度的永久磁體實(shí)現(xiàn)的更高效的磁路設(shè)計(jì)的出現(xiàn),電磁相的轉(zhuǎn)彎數(shù)可以減少并仍然產(chǎn)生相同的后EMF。
| 設(shè)置 | 逆變器20kHz,500 ns死時(shí)間400 rpm,5 a rms | gan逆變器100 kHz,14 ns死時(shí)間400 rpm,5 a rms |
| 輸入電感 | 2.7 μH | 沒有任何 |
| 輸入電容器 | 660 μF電解 | 44 μf陶瓷 |
| 別針 | 121.3 w | 113.3 w |
| 噘 | 119.6 w | 113.3 w |
| n逆變器 | 98.50% | 98.20% |
| 速度 | 42.25 rad/s | 41.94 rad/s |
| 扭矩 | 1.876 nm | 1.940 nm |
| PMECH | 79.3 w | 81.36 w |
| N電動(dòng)機(jī) | 66.30% | 73.10% |
| n總效率 | 65.30% | 71.80% |
永久磁鐵無刷電動(dòng)機(jī)會(huì)產(chǎn)生反emf電壓,E,與速度成正比,ω(e = k e ·ω),并且給定電動(dòng)機(jī)可以運(yùn)行的最大速度與直流總線電壓和電壓常數(shù)直接相關(guān)。為了提高速度,有必要通過減少相線圈的計(jì)數(shù)來降低k e,從而降低差異平方的電感。將電流紋波限制在相電流的少于10%是一種??良好的設(shè)計(jì)實(shí)踐,只能通過增加PWM頻率來實(shí)現(xiàn)。
當(dāng)前隨時(shí)間的上升與電壓與電感的比率有關(guān),并且隨著電感的降低,電流會(huì)升高,PWM誘導(dǎo)的電流波動(dòng)也更快。當(dāng)前的上升時(shí)間減少和較大的波紋會(huì)增加產(chǎn)生的熱量,并產(chǎn)生其他EMI噪聲,這是不可取的。通常,這些電動(dòng)機(jī)具有較小的時(shí)間穩(wěn)定性,\(\ tau = \ frac {l} {r} \)可以從100 kHz PWM頻率中受益。
輸入電流和電壓波紋
根據(jù)等式,逆變器中的輸入電壓波紋?V與輸出相位電流成正比,與PWM頻率和輸入電容成反比。 (1)\(\ delta v_ {in} \ infty \ frac {1} {f \,p \,w \,m \,} \ frac {1_ {stape}}} {c_ {c_ {in}}} \)所需的波紋取決于電纜從直流源到逆變器產(chǎn)生的排放給出的EMI約束。如果PWM頻率在20 kHz的范圍內(nèi),則只能通過使用比陶瓷電容器笨重且可靠的電容器來實(shí)際獲得所需的輸入電容CIN。
此外,電解電容器受到可以流過它們的RMS電流的限制,因此需要更多的電容器并聯(lián),并導(dǎo)致總輸入電容高于設(shè)計(jì)的總數(shù)超過一個(gè)數(shù)量級(jí)。當(dāng)頻率增加到100 kHz時(shí),設(shè)計(jì)人員可以使用諸如X7R之類的陶瓷電容器,并牢記設(shè)計(jì)規(guī)則,當(dāng)應(yīng)用電壓是額定電壓的一半時(shí),有效電容降至指定值的一半。
EPC9173參考設(shè)計(jì)為電解電容器和陶瓷電容器提供了機(jī)會(huì),為設(shè)計(jì)師提供了選擇其首選的開關(guān)頻率并以首選添加或卸下電容器的機(jī)會(huì)。
帶有梯形調(diào)制的電動(dòng)工具
許多電動(dòng)工具應(yīng)用程序仍在使用梯形調(diào)制方案和相關(guān)的逆變器原理圖。通常,這些應(yīng)用是基于三個(gè)霍爾傳感器,以分辨率為60的電度,以檢測(cè)轉(zhuǎn)子位置,并且它們具有單個(gè)分流器來測(cè)量DC總線返回中的電流。六步操作對(duì)于BLDC驅(qū)動(dòng)器具有許多優(yōu)勢(shì),例如最大功率利用率和擴(kuò)大的通量凈化區(qū)域。
但是,由于逆變器輸出的最大利用率,電流調(diào)節(jié)器的飽和使得很難保持瞬時(shí)電流控制能力。在大多數(shù)常規(guī)系統(tǒng)中,它是通過逐個(gè)周期電流限制的電壓角控制實(shí)現(xiàn)的,動(dòng)態(tài)性能不令人滿意。如果在PWM循環(huán)中達(dá)到當(dāng)前限制,則關(guān)閉通電設(shè)備(取決于當(dāng)前方向),直到下一個(gè)PWM循環(huán)。
BLDC電動(dòng)機(jī)的原理是為相對(duì)配對(duì)提供電力,這可以產(chǎn)生最高的扭矩。為了優(yōu)化這種效果,后EMF的形狀設(shè)計(jì)為梯形,但實(shí)際上,它是正弦的,具有較高的諧波。 DC電流與梯形背面EMF的組合在理論上可以產(chǎn)生恒定的扭矩。實(shí)際上,電流不能在運(yùn)動(dòng)階段立即建立。結(jié)果,每個(gè)60度相位的扭矩波紋存在。
隨著電流限制周期方案和低電感電動(dòng)機(jī)的限制,PWM頻率越低,電流波紋越高。這反過來會(huì)產(chǎn)生熱量和不必要的功率耗散。使用具有相同梯形方案的GAN逆變器,可以增加PWM頻率,然后降低當(dāng)前的漣漪,獲得更高的效率,更少的熱量和更少的振動(dòng)。
GAN電機(jī)驅(qū)動(dòng)參考設(shè)計(jì)EPC9173和EPC9167配備了當(dāng)前的比較器電路,該比較器電路可以由微控制器用作循環(huán)循環(huán)電流限制的信號(hào),以遵循梯形調(diào)制。使用此系統(tǒng),電動(dòng)工具設(shè)計(jì)人員可以測(cè)試參考設(shè)計(jì),以評(píng)估其應(yīng)用中的GAN優(yōu)勢(shì)。
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