高壓半橋板具有2ED2184半橋閘門驅(qū)動(dòng)程序，2 x IKW20N60H3FKSA1-ND IGBTS和SG3525 PWM信號(hào)生成器。該委員會(huì)旨在支持高達(dá)400V DC，PWM頻率高達(dá)6.5kHz和可調(diào)占空比周期范圍2％至98％的公交供應(yīng)，使其適用于廣泛的應(yīng)用，包括：
　　制冷系統(tǒng)DC-DC轉(zhuǎn)換器AC到DC轉(zhuǎn)換器電動(dòng)汽車（EV）充電器高功率LED和HID照明系統(tǒng)感應(yīng)加熱系統(tǒng)特征負(fù)載電源400V DC負(fù)載電流2-5amp電源邏輯門驅(qū)動(dòng)器12-15V DC在板上電源LED頻率/pwm調(diào)整頻率計(jì)時(shí)型計(jì)PWM信號(hào)可調(diào)2％至98％頻率可調(diào)節(jié)500Hz至6.5kHz負(fù)載和負(fù)載功率輸入的屏障端子塊在100UF/450VDC總線電容器上PCB安裝孔4 x 4毫米PCB尺寸79.53 x 43.50毫米機(jī)板SG3525芯片提供可調(diào)節(jié)的頻率和PWM（脈沖寬度調(diào)制）信號(hào)生成，使用戶可以根據(jù)其特定需求自定義輸出。 PWM信號(hào)是可調(diào)的，占空比范圍為2％至98％。頻率調(diào)節(jié)范圍為500Hz至6.5kHz，可以使用Multiturn Trim Pot PR1進(jìn)行微調(diào)。此外，SG3525芯片能夠通過更改電容器C8的值來生成高達(dá)400kHz的較高頻率.
　　2ED2184 Half-Bridge Gate驅(qū)動(dòng)器與其他合適的MOSFET或IGBT兼容，具體取決于電壓和負(fù)載電流要求。在選擇替代MOSFET或IGBT時(shí)，用戶應(yīng)考慮引導(dǎo)電容器，直流總線電容器和門電阻。該項(xiàng)目已通過100V直流電源和2A負(fù)載進(jìn)行了測(cè)試。
　　SG3525 PWM發(fā)電機(jī)
　　SG3525芯片向柵極驅(qū)動(dòng)器生成了5V PWM信號(hào)，該驅(qū)動(dòng)器可使用Multiturn Trim Pot P1進(jìn)行調(diào)節(jié)。 PWM信號(hào)的占空比范圍為2％至98％，使用Multiturn Trim Pot PR1，頻率調(diào)整范圍為500Hz至6.5kHz。通過更改電容器C8的值，SG3525芯片可以生成高達(dá)400kHz的較高頻率（有關(guān)更多信息，請(qǐng)參閱SG3525數(shù)據(jù)表）。
　　連接　　CN1負(fù)載功率：PIN1 = +VL，PIN 2 = GNDCN2：未使用CN3負(fù)載：引腳1 = GND，引腳2 =輸出P1：PWM調(diào)整多元電位計(jì)PR1：頻率調(diào)整多屈服電位計(jì)D1：功率LED.