我們?nèi)绾翁岣呱龎恨D(zhuǎn)換器的輸出電壓？如果您可以無限制地訪問正確的 IC，由于特定的要求，您可能僅限于特定的芯片，例如，它在某些環(huán)境條件下穩(wěn)定，或者，它具有一些特定的功能/接口，或者可能，它很容易獲得或便宜。這里以ADP1611升壓轉(zhuǎn)換器為例。應(yīng)用電路如圖1所示。

　　圖 1：5 至 15 V ADP1611 升壓調(diào)節(jié)器的應(yīng)用電路。
　　它的輸出電壓有 20V 的限制；這個(gè)限制主要是由于ADP1611的輸出開關(guān)造成的。在 ADP1611 中添加微型 GaN FET（例如 EPC2051）可以將該限制提高到 100 V 以上（圖 2）。
　　這是一個(gè)現(xiàn)實(shí)生活中的問題：我們?nèi)绾翁岣呱龎恨D(zhuǎn)換器的輸出電壓？如果您可以無限制地訪問正確的 IC，那么您就是一只幸運(yùn)的狗，但如果您不這樣做怎么辦？或者，由于特定的要求，您可能僅限于特定的芯片，例如，它在某些環(huán)境條件下穩(wěn)定，或者，它具有一些特定的功能/接口，或者可能，它很容易獲得或便宜。這里以ADP1611升壓轉(zhuǎn)換器為例。應(yīng)用電路如圖1所示。
　　圖 1：5 至 15 V ADP1611 升壓調(diào)節(jié)器的應(yīng)用電路。
　　它的輸出電壓有 20V 的限制；這個(gè)限制主要是由于ADP1611的輸出開關(guān)造成的。在 ADP1611 中添加微型 GaN FET（例如 EPC2051）可以將該限制提高到 100 V 以上（圖 2）。
　　　圖 2 所示的共源共柵由內(nèi)部開關(guān)晶體管和新型 FET 組成；它比單獨(dú)的內(nèi)部開關(guān)具有更好的頻率特性。因此，如果新添加的 GaN FET 也具有低得多的導(dǎo)通電阻 (R ds(on) )，那么內(nèi)部開關(guān)就不會(huì)降低效率。
　　為了使這一技巧成為可能，升壓轉(zhuǎn)換器應(yīng)具有開漏（或開集電極）輸出。此外，電感器、二極管和芯片輸出的連接必須重新配置，如圖 2 所示。二極管 D2 保護(hù)內(nèi)部開關(guān)免受過壓影響。
　　不要忘記在計(jì)算中使用這個(gè)新的輸出電壓值。輸出二極管、電容器和電感器的額定電壓也應(yīng)達(dá)到新的電壓。對(duì)于輸出二極管，我使用了 HER107。
　　添加該 GaN FET 僅使 ADP1611 的開關(guān)電阻 (0.23 Ω) 增加 15 mΩ，增幅不到 10%。請(qǐng)注意，EPC2051 的柵源電壓（V GS）不能超過+6V，所以要小心。