該角度傳感器模塊采用ADA4571芯片，這是一款具有集成信號(hào)調(diào)理放大器和 ADC 驅(qū)動(dòng)器的各向異性磁阻 (AMR) 傳感器。該電路產(chǎn)生兩個(gè)模擬輸出，指示周?chē)艌?chǎng)的角位置。
　　ADA4571 由一個(gè)封裝內(nèi)的兩個(gè)芯片、一個(gè) AMR 傳感器和一個(gè)固定增益（名義上 G = 40）儀表放大器組成。 ADA4571提供與旋轉(zhuǎn)磁場(chǎng)角度相關(guān)的干凈且放大的余弦和正弦輸出信號(hào)。輸出電壓范圍與電源電壓成比例。該傳感器包含兩個(gè)惠斯通電橋，彼此成 45° 的相對(duì)角度。 xy 傳感器平面中的旋轉(zhuǎn)磁場(chǎng)提供兩個(gè)正弦輸出信號(hào)，其頻率為傳感器與磁場(chǎng)方向之間角度 (α) 的兩倍。在 xy 平面的均勻場(chǎng)內(nèi)，輸出信號(hào)與 z 方向的物理位置（氣隙）無(wú)關(guān)。
　　特征
　　電源 2.7V 至 5.5V 直流靜態(tài)電源電流 7mA（僅芯片），無(wú) LED高精度180°角度傳感器最大角度誤差 0.5°模擬正弦和余弦輸出上電時(shí)間 150uS比例輸出電壓低熱漂移和壽命漂移溫度電壓范圍 -40 至 150 攝氏度（VDD 的 0 至 80%）SAR 或 Σ-Δ 模數(shù)轉(zhuǎn)換器 (ADC) 驅(qū)動(dòng)能力磁阻（MR）電橋溫度補(bǔ)償模式非接觸式角度測(cè)量。測(cè)量磁場(chǎng)方向而不是磁場(chǎng)強(qiáng)度。對(duì)氣隙變化的敏感性最低。工作距離大。即使對(duì)于弱飽和場(chǎng)，也具有出色的精度。滯后現(xiàn)象可忽略不計(jì)。溫度范圍：?40°C 至 +150°C抗電磁干擾故障診斷最小相位延遲PCB尺寸33.18 X 17.78MM4 個(gè) 2.5MM 安裝孔
　　ADA4571 – 集成 AMR 角度傳感器和信號(hào)調(diào)節(jié)器
　　參考位置誤差　　參考位置誤差是傳感器相對(duì)于其標(biāo)稱(chēng)位置的絕對(duì)安裝位置偏差。 Y = 0 ?m 的參考位置是引腳 2 和引腳 7 的直線(xiàn)連接線(xiàn)。X = 0 ?m 位置是指封裝頂部的中間距離。 X 和 Y 方向的位置精度均在 ±0.05 mm (±50 ?m) 范圍內(nèi)。

　　參考角誤差
　　參考角度誤差是傳感器與其標(biāo)稱(chēng)位置的絕對(duì)安裝旋轉(zhuǎn)偏差。標(biāo)記角度Φ=0°的位置是指平行于引腳2和引腳7的直線(xiàn)連接線(xiàn)。
　　VTEMP 輸出引腳（CN1 引腳 3）
　　與絕對(duì)溫度成比例的電路在 V TEMP引腳上提供電壓輸出，用于溫度監(jiān)控或溫度校準(zhǔn)目的。輸出電壓與電源電壓成比例，從而實(shí)現(xiàn)與使用電源電壓生成參考電壓的 ADC 的接口。不使用時(shí)，該引腳必須保持開(kāi)路。
　　掉電模式（CN1 引腳 2）
　　可通過(guò)將 PD 引腳切換至 VDD 引腳來(lái)激活掉電模式。在此模式下，器件關(guān)閉并將其輸出引腳設(shè)置為高阻抗，以避免負(fù)載電阻器上的電流消耗。 VTEMP 輸出通過(guò)下拉電阻接地?？梢酝ㄟ^(guò) GC = VDD 或 GC = GND 進(jìn)入掉電模式。如果 PD 引腳懸空，內(nèi)部下拉電阻可確保器件保持活動(dòng)狀態(tài)。
　　增益控制模式（CN1 引腳 6）
　　增益控制 (GC) 使能模式可以通過(guò)將 GC 引腳切換到 VDD 引腳來(lái)激活。在此模式下，AMR 橋傳感器振幅輸出得到補(bǔ)償，以減少溫度變化。這會(huì)產(chǎn)生更高且受控的輸出電壓電平，從而提高系統(tǒng)動(dòng)態(tài)范圍并簡(jiǎn)化系統(tǒng)設(shè)計(jì)任務(wù)。如果 GC 引腳懸空，弱上拉電阻可確保默認(rèn)啟用 GC 模式。 GC 模式還可以通過(guò)在啟用和禁用時(shí)比較正弦和余弦幅度輸出來(lái)用作傳感器自診斷，例如半徑檢查。如果半徑?jīng)]有變化，則表明 IC 發(fā)生嚴(yán)重故障。
　　功耗
　　當(dāng)電源電流運(yùn)行在規(guī)定的最大值 7 mA 且 ADA4571 運(yùn)行在最大 VDD 5.5 V 時(shí)，會(huì)出現(xiàn)最壞情況靜態(tài)功耗，最壞情況靜態(tài)功耗為 38.5 mW。功耗取決于 VDD、溫度、負(fù)載電阻 (RL)、負(fù)載電容 (CL) 和旋轉(zhuǎn)磁場(chǎng)的頻率。建議將 RL 和 CL 接地。在給定的持續(xù)時(shí)間內(nèi)通過(guò)電流限制來(lái)保護(hù)輸出電壓免受 VDD 引腳或接地短路的影響。如果電源電流不限于 100 mA，則將設(shè)備旋轉(zhuǎn) 180° 放入插座可能會(huì)導(dǎo)致?lián)p壞。
　　信號(hào)輸出的偏移
　　單端輸出信號(hào)以片內(nèi)內(nèi)部生成的 VDD/2 為基準(zhǔn)。偏移源于生產(chǎn)過(guò)程中的匹配誤差和其他缺陷。為了實(shí)現(xiàn)嚴(yán)格的容差，需要使 VSIN 和 VCOS 的外部負(fù)載相互匹配。為了實(shí)現(xiàn) ESD 和 EMC 保護(hù)，輸出包含 50 Ω 的串聯(lián)電阻。通過(guò)大的輸出負(fù)載電阻，該串聯(lián)電阻的影響被最小化。
　　信號(hào)對(duì)氣隙距離的依賴(lài)性
　　IC 測(cè)量其 xy 平面內(nèi)外部磁場(chǎng)的方向。只要場(chǎng)強(qiáng)高于規(guī)定的最小值 25 kA/m，結(jié)果就很大程度上與場(chǎng)強(qiáng)無(wú)關(guān)。在 xy 方向的均勻場(chǎng)內(nèi)，結(jié)果與其在 z 方向（氣隙）的位置無(wú)關(guān)。內(nèi)部 xy 平面到塑料封裝頂面的標(biāo)稱(chēng) z 距離為 0.400 mm。
　　連接　　CN1：引腳 1 = VDD 2.7V-5.5V DC，引腳 2 = 掉電 (PD) 高電平有效，引腳 3 = 電壓溫度輸出 (VT)，引腳 4 = 模擬正弦輸出，引腳 5 = 模擬余弦輸出，引腳 6 = 增益控制模式使能 (GC)，引腳 7 GDD1：電源指示燈