簡(jiǎn)單的高壓 MOSFET 逆變器使用低壓晶體管 Q 1和涉及 D 6的特殊布置解決了驅(qū)動(dòng)高側(cè) MOSFET 的問(wèn)題（圖 1）。該逆變器比光耦合器驅(qū)動(dòng)的逆變器快得多，因此死區(qū)時(shí)間問(wèn)題很小。逆變器具有常用的阻塞二極管D 4和D 6以及并聯(lián)二極管D 5和D 8。 Q 3向Q 2提供關(guān)斷信號(hào)。當(dāng)Q 3導(dǎo)通時(shí)，Q 2的柵極通過(guò)R 4短路至地。 R 4限制電流并抑制振蕩。 Q 2的柵極快速放電；僅R 4的值限制放電時(shí)間。由于 R 2，Q 1保持關(guān)閉狀態(tài)，C 3通過(guò) D 2充電至 12V 。柵極脈沖產(chǎn)生通過(guò)C 4 的電流，并且D 3保護(hù)Q 1的基極-發(fā)射極結(jié)。

      圖 1該電路可能是您可以構(gòu)建的最簡(jiǎn)單的高壓逆變器。

　　在 Q 2導(dǎo)通時(shí)，會(huì)發(fā)生以下情況：當(dāng)控制輸入 PWM 變低時(shí)，由于 D 7 的作用，Q 3快速關(guān)閉。位移電流C 4 ×dV/dt通過(guò)C 4流至Q 1的基極。 Q 1對(duì)Q 3的輸出電容和Q 2的柵極電容充電，并且Q 2導(dǎo)通。 C 3提供集電極電流。如果周期較長(zhǎng)，Q 1保持導(dǎo)通，補(bǔ)償Q 3的漏電。如果 D 6是漏電的肖特基二極管，則必須減小 R 1的值。兩個(gè)MOSFET之間存在較短的交叉導(dǎo)通周期，這種現(xiàn)象在Q 3關(guān)斷而Q 2導(dǎo)通時(shí)更為明顯。與主電源串聯(lián)的小電感器 L 1限制電流尖峰。電感器需要一個(gè)由 D 1、R 1和 C 2組成的緩沖器。請(qǐng)注意，電感值是保守值，可以更小。　　這些值適用于具有 150% 過(guò)載能力的 370W 三相逆變器。如果更改 MOSFET，C 4的值必須根據(jù)總柵極電荷加上 Q 3的輸出電容而變化，該值要低得多，實(shí)際上可以忽略不計(jì)。 Q 1放大電容器電流，因此C 4與Q G2 ×h FE1成正比。使C 4的值不要高于必要值，因?yàn)镼 1中的基極電流會(huì)太高。為了獲得電路的所有速度優(yōu)勢(shì)，PWM信號(hào)應(yīng)該能夠快速驅(qū)動(dòng)Q 3。如果需要，可以使用緩沖電路（圖2）。您可以使用單個(gè) CMOS 門(mén)驅(qū)動(dòng)電路。圖 1 中的電路可能是您可以設(shè)計(jì)的最簡(jiǎn)單的高壓逆變器。它已服務(wù)于數(shù)千個(gè) 0.37 至 0.75 kW 的三相電機(jī)驅(qū)動(dòng)器。

     圖 2該緩沖器提高了圖 1 電路的 PWM 輸入的速度。