光電二極管的基本等效電路　　并非所有光電二極管模型都完全相同，但除了二極管符號表示的正常 pn 結外，還一致出現(xiàn)四個元素：電流源、并聯(lián)電容器、并聯(lián)電阻器和串聯(lián)電阻器。

　　光電流
　　理想電流源 (I PD ) 表示光電流，即二極管響應入射光產生的電流。請注意，光電流的方向對應于從二極管陰極流向二極管陽極的電流——這很好地提醒了我們，光電二極管是在零偏置或反向偏置下使用的，它們產生的電流流動的方向與我們預期的正常正向偏置二極管的方向相反。
　　如前文所述，我們使用響應度來量化入射光功率與光電流之間的關系。典型硅光電二極管的響應度范圍為 400 nm EMR 的約 0.08 安培/瓦 (A/W) 至 700 nm EMR 的 0.48 A/W。
　　結電容
　　并聯(lián)電容 (C J ) 表示二極管的結電容，即與 pn 結耗盡區(qū)相關的電容。結電容是一個重要參數(shù)，因為它對光電二極管的頻率響應有重大影響。較低的結電容可實現(xiàn)卓越的高頻操作。　　您可能會注意到光電二極管模型中的 C J是可變電容器。雖然這種表示似乎不太常見，但它并不是一個壞主意，因為它提醒我們結電容取決于偏置電壓。我們可以通過增加反向偏置電壓來故意設計一個具有更高帶寬的光電二極管系統(tǒng)。

　　并聯(lián)電阻
　　與光電二極管并聯(lián)的電阻稱為分流電阻 (R SH )。與一般電流源一樣，當 R SH無限大時，可實現(xiàn)理想操作。當分流電阻無限大（或在現(xiàn)實生活中極高）時，電流源會將其所有電流輸送到負載，電流電壓比完全由負載電阻決定。當分流電阻接近負載電阻值時，它開始更明顯地影響電流電壓比。
　　對于許多光電二極管來說，分流電阻非常高，以至于在典型應用中不會嚴重影響整體性能。對于硅光電二極管，R SH為數(shù)十、數(shù)百甚至數(shù)千兆歐姆，而砷化銦鎵也可能具有極高的分流電阻。然而，對于鍺，你需要更加小心，因為 R SH通常在千歐姆范圍內，甚至可能是低千歐姆范圍。
　　分流電阻也會影響噪聲性能。隨著 R SH 的減小，光電二極管的約翰遜噪聲會增加。
　　串聯(lián)電阻　　光電二極管具有觸點、引線鍵合和半導體材料，這些都會影響串聯(lián)電阻 (R S )。該電阻通常很低，為幾歐姆或幾十歐姆，但也可能更高。

　　據(jù)我所知，串聯(lián)電阻通常不是光電二極管系統(tǒng)設計的主要問題。但是，過大的串聯(lián)電阻會降低線性度：通過 R S 的光電流會產生電壓降，該電壓降開始使以零偏置配置工作的光電二極管正向偏置（見下圖）。正向偏置二極管具有指數(shù)電流-電壓關系。因此，增加 R S兩端的電壓會減少到達負載的光電流，因為它會導致部分光電流通過二極管本身轉移到地，并且這種電流轉移是以非線性方式發(fā)生的。