在MOS電路的發(fā)展過程中，最初采用的電路全部是用P 溝道 MOS 管組成的，這種電路稱為 PMOS 電路。V　PMOS 反相器的電路結(jié)構(gòu)如圖 3.4.1 所示，其中T和′T都是 P 溝道增強(qiáng)型 MOS管。因?yàn)?PMOS 工藝比較簡(jiǎn)單，成品率高、價(jià)格便宜，所以曾經(jīng)被廣泛采用。
　　T但是，PMOS 反相器有兩個(gè)嚴(yán)重的缺點(diǎn)。第一，它的工作速度比較低。因?yàn)?P 溝道 MOS管的導(dǎo)通電流是由空穴運(yùn)動(dòng)形成的，而空穴的遷移率比電子的遷移率低得多，所以為了獲得同樣的導(dǎo)通電阻和電流，P 溝道MOS管必須有更大的幾何尺寸。這就使P溝道MOS管的寄生電容要比 N 溝道 MOS管的寄生電容大得多，從而降低了它的開關(guān)速度?！　〉诙?，由于 PMOS 電路使用負(fù)電源，輸出電平為負(fù)，所以不便于和TTL 電路連接，使它的應(yīng)用受到了限制?；谏鲜鲈?，在 NMOS工藝成熟以后，PMOS 電路就用得越來越少了。