MOS管的開關(guān)等效電路
出處：維庫電子市場網(wǎng) 發(fā)布于：2024-01-15 16:29:31 | 320 次閱讀
由于 MOS管截止時漏極和源極之間的內(nèi)阻.RoF非常大，所以截止狀態(tài)下的等效電路可以用斷開的開關(guān)代替，如圖3.3.5(a)所示。MOS管導通狀態(tài)下的內(nèi)阻R0N約在1 kΩ以內(nèi)，而且與vCS的數(shù)值有關(guān)。
圖中的C代表柵極的輸入電容。C的數(shù)值約為幾皮法。
由于開關(guān)電路的輸出端不可避免地會帶有一定的負載電容，所以在動態(tài)工作情況下(即 v在高、ν低電平間跳變時)，漏極電流?i?的變化和輸出電壓νD5的變化都將滯后于輸入電壓的變化。
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